玻璃生产线建设的技术经济论文

摘要：目前，随着我国浮法玻璃生产技术的不断成熟，玻璃行业的不断壮大。普通的3～12mm的玻璃已经很难满足现代化建设的需要，由于玻璃的应用日益广泛，例如：玻璃幕墙、玻璃灯、玻璃大厅等需要集采光、隔音、节能等一体的时尚化潮流，但这就需要更厚的玻璃，所以对于15mm以上的超厚浮法玻璃是一种大规模需求。今天小编给大家找来了《玻璃生产线建设的技术经济论文(精选3篇)》，供大家参考借鉴，希望可以帮助到有需要的朋友。

玻璃生产线建设的技术经济论文 篇1：

玻璃熔窑烟气脱硝技术现状及研究进展

【摘 要】我国整体经济建设发展迅速，各行业的发展也是有目共睹，本文针对中高温SCR烟气脱硝技术、低温SCR烟气脱硝技术的应用现状，进行妥善合理的分析，并详细介绍玻璃熔窑烟气脱硝技术的研究进展，不断减少玻璃熔窑烟气污染，希望能够给相关学者提供一定的参考与帮助。

【关键词】玻璃熔窑烟气脱硝技术现状；研究进展

引言

随着科学技术的快速发展，我国很多先进的科研技术运用到各行业中，使其自身发展非常迅速。目前，国内玻璃熔窑烟气脱硝大多采用中、高温SCR脱硝技术。由于各个玻璃生产企业的生产工艺、燃料使用情况不同，现有的脱硝技术在实际应用中还存在一些问题或不足。因此，有必要对脱硝技术在玻璃熔窑的应用情况进行分析与讨论，并结合玻璃熔窑工艺及烟气特点，对国内正在研发的一些玻璃熔窑烟气脱硫脱硝一体化新技术进行分析，为玻璃熔窑烟气脱硝治理提供新的思路。

1分析玻璃熔窑烟气脱硝技术的重要意义

在玻璃生产企业中，通过合理运用玻璃熔窑烟气脱硝技术，能够保证熔窑烟气内的污染物质得到有效降低甚至去除，从而减少生态环境污染，为人们提供一个更加健康的生存环境。通过详细分析玻璃熔窑烟气脱硝技术，能够有效提升玻璃生产企业的经济效益，促进企业更好发展。近年来，随着国家对环境保护的重视程度不断加强，相关政策的改变，环保执法力度的加强，玻璃生产企业已经逐步认识到了环保排放的重要性，玻璃熔窑烟气脱硝技术已经成为企业烟气处理的重要技术方法。

2玻璃熔窑烟气特点

目前国内玻璃熔窑的燃料主要有重油、煤焦油、天然气、煤气、石油焦、水煤浆等，同一吨位的熔窑在使用不同的燃料时烟气量、NO及排放量会有所不同。以用重油为燃料的500T/D浮法玻璃生产线为例，烟气量为（8-10）x104m3/h，烟气中的主要污染物为NOx、SO2和粉尘，其中NO初始排放浓度为1500-2500mg/m3，SO2初始排放浓度为800-1200mg/m3，粉尘初始排放浓度为80-200mg/m3。玻璃熔窑烟气中的SO2和NOx，—是来自燃料中的S、N，在高温燃烧时与O2反应生成S02、NOx；二是来自玻璃原料的分解，原料中的芒硝及硝酸钠在高温分解时生成S02、NOx；另外，还有一部分NO，是空气中的N2在高温时与O2反应生成的。

3玻璃熔窑烟气脱硝技术的应用现状

（1）中高温SCR烟气脱硝技术

由于玻璃熔窑烟气中NOx浓度较高，能达到2650mg/m?，如果不采取合理的脱硝技术，会对生态环境产生危害。在玻璃生产企业，为了保证玻璃的生产质量，相关工作人员需要在玻璃熔窑内部加入适量的Na2SO4，Na2SO4占据玻璃配料的6%左右，使得玻璃熔窑烟气粉尘颗粒变大，粉尘含有一定量的Na2SO4颗粒，而烟气中的Na2SO4颗粒能够溶于水，与水结合后，会产生大量的钠离子，引发SCR反应器催化剂中毒。合理运用中高温SCR烟气脱硝技术，有效减少Na2SO4颗粒，能够保证玻璃熔窑烟气浓度得到有效下降。为了保证SCR烟气脱硝技术得到更好的应用，玻璃生产企业中的相关工作人员，在实际工作当中要选择合理的催化剂。现阶段，玻璃企业中常用的脱硝催化剂主要分为蜂窝状催化剂、板状催化剂与波纹状催化剂等三种，其中，应用最为广泛的为蜂窝状催化剂，与板状催化剂与波纹状催化剂相比，蜂窝状催化剂的比表面积大，具有良好的耐热性，当玻璃熔窑中的温度过高时，依然能够保持良好的活性。

（2）低温SCR烟气脱硝技术

与中高温SCR烟气脱硝技术相比，低温SCR烟气脱硝技术的反应温度较低，主要在200℃左右，在玻璃生产企业中，为了保证催化剂的活性，玻璃熔窑周围需要设置合理的余热炉，从而保证玻璃熔窑内部的温度符合相关规定，提高低温SCR烟气脱硝技术的效率。对于玻璃生产企业来说，在运用低温SCR烟气脱硝技术的过程中，不必改造玻璃熔窑，有效降低了企业的运行成本。想要保证低温SCR烟气脱硝技术得到更好的运用，玻璃生产企业中的相关工作人员在实际工作当中，需要科学运用低温SCR催化剂，常用的低温催化剂主要有金属氧化物催化剂。通过合理运用低温SCR烟气脱硝技术，能够保证玻璃熔窑烟气的脱硝效率。但是，在运用低温SCR烟气脱硝技术的过程当中，也存在一定的缺陷，如玻璃熔窑中的余热没有得到合理利用，造成资源的浪费。

4玻璃熔窑烟气脱硝工艺的技术优势

（1）HSR复合脱硝剂为多元复合型物质，可以从根本上避免氨泄漏等安全隐患的发生，也不与玻璃熔窑蓄热室镁砖等耐火材料反应，也不会腐蚀熔窑，呈中性或近中性，贮运稳定、使用安全、无毒、无腐蚀。（2）HSR脱硝技术可以处理750～1400℃范围内烟气中的氮氧化物，比SNCR的温度适用范围（850～1050℃）宽，脱硝率最高可以达到90%以上，而SNCR法的脱硝率一般仅为30%～50%。最为有特色的是，HSR脱硝剂耐高温，可以处理其它脱硝技术不能处理的1100℃以上的超高温烟气。（3）HSR脱硝技术采用窑内还原，可以不改变现有熔窑结构，只需在现有设施的基础上，增加HSR脱硝装置和相应的自控系统。

5玻璃熔窑烟气脱硝技术研究进展

（1）烟气循环流化床脱硝技术

烟气循环流化床脱硝技术主要指的是将玻璃熔窑烟气中的氮氧化物有效去除，进一步提升玻璃的生产质量。由于玻璃生产技术的不断进步，烟气循环流化床脱硝技术也在不断完善，在玻璃生产企业，能够保证玻璃熔窑中的有害物质有效去除，玻璃生产企业中的相关工作人员可以在玻璃熔窑中加入适量的KMnO4，并加入适量的添加剂，有效提升玻璃熔窑的脱硝率。玻璃生产企业中的相关工作人员，在应用烟气循环流化床脱硝技术的过程当中，可以运用原有的烟气流化床设备，有效降低企业的设备采购成本，提高玻璃熔窑内部的反应速率。

（2）臭氧化法脱硫脱硝技术

臭氧化法脱硫脱硝技术主要指的是在脱硫脱硝技术的基础上，在玻璃熔窑中加入适量的O3，由于O3具有良好的氧化性，能够保证玻璃熔窑烟气中的NO得到更好的氧化，将NO氧化成NOX，并提高玻璃熔窑的脱硝脱硫率。在锅炉、矿产等企业，臭氧化法脱硫脱硝技术已经得到广泛应用。但是，在玻璃生产企业中，臭氧化法脱硫脱硝技术的应用较少，根据相关统计数据能够表明，将臭氧化法脱硫脱硝技术与湿法脱硝脱硫技术进行有效结合，能够保证玻璃熔窑中的脱硝率达到69%左右。通过合理运用臭氧化法脱硫脱硝技术，能够有效减少玻璃生产企业的生产投资，进一步提升玻璃的生产质量。

结语

通过详细介绍烟气循环流化床脱硝技术、臭氧化法脱硫脱硝技术的研究进展，能够保证玻璃熔窑中的烟气浓度得到更好的控制，提高玻璃生产企业的经济效益。相关研究人员，要结合我国玻璃生产企业的运行现状，适当加大玻璃熔窑脱硝技术的研究力度，减少烟气污染，保证玻璃熔窑中的余热得到有效利用，推动我国玻璃生产企业的快速发展。

参考文献：

[1]张鑫，李炳炜，徐杰，等.玻璃熔窑烟气高效选择性还原脱硝（HSR）技术的应用[J].玻璃与搪瓷，2017，（6）：32-37.

[2]赵蕊.试析脱硫、除尘、脱硝技术在玻璃熔窑烟气治理中的运用[J].资源节约与环保，2015，（7）：24.

[3]凌绍华，景长勇，李晓亮.玻璃熔窑烟气SCR脫硝试验研究[J].工业安全与环保，2016，（3）：87-89.

（作者单位：浙江嘉福玻璃有限公司）

作者：闻春敏

玻璃生产线建设的技术经济论文 篇2：

浅谈超厚浮法玻璃的成型和退火

摘 要：目前，随着我国浮法玻璃生产技术的不断成熟，玻璃行业的不断壮大。普通的3～12mm的玻璃已经很难满足现代化建设的需要，由于玻璃的应用日益广泛，例如：玻璃幕墙、玻璃灯、玻璃大厅等需要集采光、隔音、节能等一体的时尚化潮流，但这就需要更厚的玻璃，所以对于15mm以上的超厚浮法玻璃是一种大规模需求。巨大的行业市场和明显的经济效益优势，成为各大浮法玻璃制造企业的目标。此文针对浮法玻璃制造过程中的退火与成型做出简要探析。

关键词：超厚浮法玻璃;成型;退火

对于一个玻璃生产企业来说，一条完整的超厚浮法玻璃生产线是这个企业工艺水平的体现，同时也该企业的资质的象征。一条完整的超厚浮法玻璃生产线装备是形容该企业工艺水平的最好体现。从超厚浮法玻璃的成型与退火的方法以及技术特点等做出简要介绍。

一、超厚浮法玻璃成型技术

通过浮法玻璃静止状态下的成型原理进行分析我们可以知道，玻璃的表面张力、锡液与玻璃液的界面张力以及玻璃和锡液的密度，决定了玻璃液在锡液表面上能形成厚度约为6.7mm的自然厚度。对于自然厚度进行分析试验，我们发现自然厚度的两个决定因素，首先就是重力，在重力的作用下，锡液向下聚集，导致上层自然厚度降低，从而使它的位能降低;另一个因素就是表面张力，由于表面张力的作用，会使张力比较大的地方自然厚度加厚，进而使玻璃液获得最小的表面能。只有将重力与表面张力二者相平衡，才能使自然厚度均匀。

对于生产要求，我们希望玻璃的厚度接近自然厚度，但当玻璃厚度大于自然厚度时，玻璃因铺展而减薄的减薄速度是值得我们研究的。尽管铺展减薄速度与铺展力的大小有关，但铺展减薄速度最根本的影响因素是玻璃的黏度大小，通過计算不同厚度玻璃带在不同黏度（温度），可以得出不同的铺展减薄速度。经过计算试验，得出温度在850摄氏度及850摄氏度以下时，玻璃的铺展减薄速度会变得非常小，而此时的玻璃厚度也是最稳定的时候，只要此时使末对拉边机的速度与拉引速度相接近，即可得到此时的厚度，当厚度从8mm增加到15mm时，平均铺展减薄速度增大了10倍。通过以上分析可知，玻璃板越厚，成型的技术难度也就越大。

二、超厚浮法玻璃的成型方法

（一）挡墙法

挡墙法简称FS法，是由英国皮尔金顿公司研发并具有专利的生产技术，它的基本工艺是在锡槽高温区设置很长的石墨水冷挡墙，玻璃在墙之间摊平，一层一层的往上堆积，直到达到生产要求的厚度。这种成型方法充分利用了浮法成型的基本原理。该方法生产的玻璃表面平整度和光学质量好，适合15mm以上超厚浮法玻璃的生产。

（二）拉边机法

拉边机法简称RADS法，是外国超厚浮法玻璃制造最常用方法，目前国内也使用的是此方法。其基本工艺是通过拉边机倒八字的角度给玻璃带施加一个向内的分力，通过该分力的作用，使玻璃带堆积，直到达到一个厚度大于自然厚度的玻璃。该方法的优点是不需要其他的辅助设备，调整比较灵活。拉边机法生产的玻璃表面平整度较挡墙法更差一点，更加适合8～15mm的厚玻璃。

（三）挡墙拉边机法

挡墙拉边机法简称DT法，通过将挡墙法和拉边机法相结合，结合了他们共同的优点，在此基础上进行完善和创新。挡墙拉边机法基本原理是在锡槽高温区设置一组很短的挡墙，使玻璃在挡墙中间堆积形成所需要的厚度，同时，在挡墙的出口处设置几对倒八字的拉边机来阻止玻璃带向外摊开，以保证厚度能达到生产要求的厚度。挡墙拉边机法可以通过调节拉边机的角度很灵活的调整开合角度，并且根据石墨挡板所需要的温度进行水冷或者电加热，另外，它不仅发挥了挡墙的堆积作用，又通过短挡板克服了长挡板结构复杂等长产弊端。同时，运用多个拉边机，使得生产效率极具提高。该方法生产出的玻璃表面平整度极好，而且适用的玻璃生产厚度的范围也更广泛。

三、超厚浮法玻璃的退火技术

超厚浮法玻璃的两大核心技术，一是成型，二是退火，二者密不可分，相辅相成。很多企业在重视了成型技术却忽略了退火技术，导致玻璃板在退火窑中严重炸裂，使得玻璃板被迫中断拉引。

（一）超厚浮法玻璃的退火技术

超厚浮法玻璃的冷却过程必然伴随着内外温度差，退火的目的就是通过减少内外温度差的值，从而减小内应力的过程，是玻璃板更容易切断，达到后期玻璃的使用。STEIN公司提供的玻璃中残余应力的计算公式如下：

R=1.86×G ×A2

式中：R——参与应力（kg/cm2）;

G——退火窑B区的冷却速率（C/min）;

A——玻璃板厚度（mm）;

由上式可知：残余应力与B区的冷却速率及玻璃厚度的平方成正比。当玻璃厚底增加一倍，残余应力将增加三倍。

（二）成型方法对超厚浮法玻璃退火的影响

（1）采用挡板法生产超厚浮法玻璃时，由于使用的玻璃挡板横断面的厚度是均匀一致的，因此不会造成局部的温度过低，只需要采用一定的局部保温措施，就能使内应力大大减少，从而达到容易切割的目的。

（2）采用挡板拉边机法生产超厚浮法玻璃时，由于拉边机只在边界起到辅助挡边作用，齿印较浅，齿外的玻璃边很小，因此会造成齿外的玻璃边缘局部温度下降过快，采用一定的保温加热措施可以改善局部的内用力。

（3）采用拉边机法生产超厚浮法玻璃时，由于完全依靠拉边机来堆积，使得拉边机的角度、速度和压入玻璃的深度增加。齿印外的玻璃边比较宽，会造成较宽部位温度降低过快，使得局部压力增加，造成切割困难。

四、改善超厚浮法玻璃退火的措施

（1）通过上述公式分析，可以通过降低B区的冷却速度来降低残余应力。

（2）拉引速度和原板及拉引量有关，可以采用宽板慢速的方法降低冷却速率G，从而降低残余应力。

（3）减少横向温度差，加强退火窑外壳的保温以及辊子轴头的密封性。

（4）在锡槽的低温段两侧，适当增加电加热来降低玻璃带两侧的温度差。

五、结束语

通过对超厚浮法玻璃的成型和退火方式进行探析，我们了解到了成型的方法、技术原理以及各种方式的优缺点。同时对退火工艺进行分析，了解了退火工艺的方法和降低残余应力的方法。希望在以后的生产过程中能不断完善生产工艺，使我国超厚浮法玻璃行业充分发挥它的优势。

参考文献：

[1]应浩，嵇训烨.超厚浮法玻璃的成形与退火[J].玻璃，2002，29（5）：9-12.

[2]冯丽荣.浮法玻璃的退火特点及其在厚、薄玻璃上的应用[J].玻璃， 1999（1）：10-12.

[3]孙保华，解丽丽.浅谈15mm浮法玻璃的生产[C]//中国浮法玻璃及玻璃新技术发展研讨会.2007.

[4]吴华亭，高自强.15mm超厚玻璃的生产实践[C]//山东材料大会.2007.

作者：张磊

玻璃生产线建设的技术经济论文 篇3：

业界要闻

第六届中国国际集成电路博览会

暨高峰论坛（IC CHINA2008）在苏州成功召开

第六届中国国际集成电路博览会暨高峰论坛（IC CHINA2008）于9月17日－19日在苏州隆重开幕，“加强产业合作，完善产业链，推动创新与发展”是今年IC CHINA的主题，推动半导体设备及零部件产业市场发展是本届展会的重要内容。

开幕式由中国半导体行业协会秘书长徐小田主持，中国半导体行业协会俞忠钰理事长、苏州市周伟强副市长、美国驻上海领事馆副总领事、美国半导体行业协会副总裁、工业和信息化部肖华司长、江苏省省长助理徐南平、科技部曹健林副部长分别致辞，并共同为IC CHINA 2008剪彩。

本届博览会涵盖整个集成电路产业链，包括集成电路设计、制造、封装和测试，半导体设备和材料，半导体器件与IC产品应用和营销服务等，展览面积达1.5万平方米。

今年高峰论坛与“中美半导体节能技术、产品及应用合作论坛”一并举行。高峰论坛以制造、设备、IC产品设计为主题。由中国半导体行业协会副理事长邹世昌院士主持，TEL集团、中芯国际、尼康精密设备、东京精密、上海华虹NEC等著名半导体公司CEO在高峰论坛上做了精彩演讲，与会听众达到500人。

中国半导体行业协会俞忠钰理事长为本次论坛致辞，他表示，今年是举办IC CHINA的第六个年头。经过五年的发展，IC CHIHA得到了国内外业界的广泛认同和支持，展览规模不断扩大，成为目前中国半导体行业界最有影响的展会之一。它既是企业创新发展、展示自我的平台，也是国内外企业沟通与合作的桥梁，是企业开拓市场的舞台。本届IC CHINA共有400多家参展单位，包括国内外知名半导体企业、系统厂商、终端产品制造商、大学和科研院所、经济技术开发区和集成电路产业化基地，涵盖了集成电路设计、制造、封装测试，半导体设备和材料，半导体器件与IC产品应用和营销服务等领域。

俞理事长表示，全球半导体产业在经历了数十年的高速发展之后，产业日渐成熟，然而创新之路远未结束。我们正处在这个产业的变革、拓展和重塑阶段，创新成为当前行业发展的主旋律。基于此，本次IC CHINA邀请国内外业界知名的专家、学者，设计业、芯片制造业、封装测试业、整机业知名的企业家与广大的业界人士，在“加强产业合作、完善产业链、推动创新与发展”的主题下，围绕“节能半导体技术、产品及其应用”、“先进IC制造与工艺设备”、“电子系统与IC产品设计”、“知识产权保护与自主创新”等多个热点论题展开专题研讨。与前几届相比，本届IC CHINA有三个突出特点：

一是推进节能降耗。今年的高峰论坛与中美半导体行业协会首次合作举办的中美半导体节能技术、产品及应用合作论坛一起举行。在全球能源日趋紧张、生态环境不断恶化的背景下，“绿色芯片”概念应时而生，从低功耗IC的开发应用到汽车电子，从新型功率半导体到高能效解决方案，从MCU到嵌入式系统，芯片厂商蜂拥而起，节能降耗和绿色制造将为产业迎来新的发展机遇。通过这次中美合作论坛的举办，推动半导体企业适应国内外电子产品对节能环保的需求，开拓这一广阔市场，共同承担节能环保的社会责任。

二是推动先进IC工艺和制造设备的开发与应用。为适应当前我国芯片制造和封装企业技术及装备升级的需要，本次展会不仅有国内外许多半导体设备公司参展，而且组织峰会和专题研讨会，邀请知名半导体设备制造商 应用材料、东京电子、尼康公司、东精精密等国外公司、国内各半导体设备公司和芯片制造、封装企业一起，研讨和交流先进技术和设备，推动我国半导体工艺技术的进步，促进国内半导体设备的研发和生产。

三是推动IC产品的开发和应用。邀请系统厂商参加，增设“中国高校集成电路产学研成果展区”，促进完善IC产业链。本次峰会特别邀请了海信集团、中兴通信、中电熊猫等几十家整机企业高层领导参加，共同探讨如何进一步加强IC产品的应用与推广，促进整机企业与IC设计企业间的合作与互动，推进集成电路产业链各环节协调发展。同时，本次峰会也特别邀请了清华大学、北京大学、复旦大学、上海交大、浙江大学等国内18所重点高校和香港科技大学参加，通过设立“中国高校集成电路产学研成果展区”，展示高校科研成果，为产学研合作创新牵线搭桥，积极推动大学、科研院所与各地区、企业之间的知识流动和技术转移。

2008是一个特殊的纪年，是集成电路诞生50周年。我国半导体产业经过长期发展，特别是改革开放三十年来，不断发展壮大，最近十年间产量和销售额分别扩大18.5倍与21倍，技术水平快速提升，产业结构日趋合理，产业环境不断完善，为中国信息产业的发展与信息化建设作出了贡献。

今年以来，受全球经济形势低迷，国内外市场变化和成本上升等因素影响，国内IC产业增速明显减慢，产业发展面临严峻挑战。我们希望，本届IC CHINA能在应对挑战，加快技术进步，推动结构调整，促进企业整合，加速产业发展方面，起到积极作用。

最后他提到，当前，国家正在大力推进信息化与工业化融合，国家科技重大专项已进入实施阶段，我国信息产业继续保持平稳较快增长，国内集成电路市场需求依然旺盛。我们相信，这些有利因素必将继续推动我国集成电路产业快速发展，今后国内IC市场和产业仍将保持两位数以上的年增长率。

据悉，明年IC CHINA还将继续在苏州举办。

我国IC 设计产业仍将保持快速发展

中国半导体行业协会IC设计分会理事长王芹生在前不久在苏州召开的IC CHINA上表示，2008年我国设计业的规模将进一步快速增长，保守估计将比20007年增长达20%，达330-360亿元的规模；预计TOP10的收入将占总体的1/3，达117亿元的规模。全行业的利润率为8-10%。

设计的迅速发展，将推动制造和封测业的发展，预计2008年我国设计公司的产能将占到我国晶圆代工商总产能的20%，占封测总产能的35%。

目前我国的设计业主要集中在长三角、环渤海湾区域、珠三角等三大区域，其中长三角区域达123亿元，上海、江苏、浙江分别为54亿元、44亿元、25亿元；环渤海湾区域达107亿元，北京为88亿元，大连和天津合计为19亿元，珠三角为71亿元，深圳达62亿元。另外在武汉、成都、重庆、西安等地也聚焦了一批优秀的设计公司。

我国首个太阳能光伏学院

在南昌大学挂牌成立

我国首个太阳能光伏学院——南昌大学太阳能光伏学院日前正式挂牌成立。江西省委副书记、省长吴新雄，中国科学院院士王占国共同为学院揭牌。副省长孙刚出席揭牌仪式并讲话。

据了解，太阳能是最富发展前景的清洁、无污染的可再生能源。通过光伏电池将太阳光能直接转化为电能，是太阳能利用的最重要形式。江西省光伏产业已在中游产业形成强势，在上游产业的发展将后来居上、向下游产业的拓展也已初具规模，并且还在加速发展之中；推进太阳能光伏产业，形成产值过千亿的太阳能光伏产业集群，已成为江西省产业的重点建设发展目标之一。

据南昌大学党委书记郑克强介绍，南昌大学已成立了光伏人才培养工作领导小组，并在全国范围内聘请了一批太阳能光伏产业领域的杰出专家、学者、企业家组成顾问委员会。其中，中国科学院院士王占国被聘为顾问委员会主任，指导太阳能光伏学院的教学管理与科学研究工作。

据江西省委教育工委书记、省教育厅厅长虞国庆介绍，为支持江西打造世界级光伏产业基地，除了当天挂牌成的南昌大学太阳能光伏学院外，江西省还将建立1所太阳能职业技术学院，新设置一批光伏本科和高职专业，建立6个光伏中等职业教育基地。到2015年，各大院校将为全省光伏产业培养各层次毕业生10万人。

甘肃省微电子封装工程技术研究中心召开第三次专家委员会会议

甘肃省微电子封装工程技术研究中心第三次专家委员会会议在华天公寓七楼会议室召开。会上清华大学微电子研究所教授、中国电子学会封装专业委员会副主任、甘肃省微电子封装工程技术研究中心专家委员会主任贾松良专家作了塑料功率器件热阻计算与测试研究，同尺寸芯片多层堆叠技术两个方面的专题技术讲座。来自华天科技封装技术研究中心、品质保证部、品管部、生产线工程技术人员以及华天微电子部分工程技术人员共200多人参加了此次会议。

国内最大太阳能电池封装玻璃生产线建成投产

国内最大的太阳能电池封装玻璃生产线日前在博爱县建成投产。据悉，河南裕华高白玻璃有限公司年产10万吨太阳能光伏玻璃项目三期工程是国家工业国债项目、河南省50家高成长型企业之一。到今年年底，这家位于焦作市博爱县的国内最大的太阳能电池封装玻璃生产企业将具备10万吨的年生产能力。

据悉，2005年，河南裕华高白玻璃有限公司成功开发了高白压延太阳能电池封装玻璃产品，同时建成了国内第一条太阳能玻璃生产线。2006年，裕华公司投资2.5亿元开工建设年产10万吨压延太阳能电池封装玻璃项目。

2008年上半年上海集成电路产业统计

据上海市集成电路行业协会（SICA）对上海120家主要集成电路企业的统计，08年上半年销售额总收入为202.96亿元，同比增长4.1%。

近年来上海集成电路产业产值增幅趋缓，但经济效益明显提升，销售额逐年增长，只是增幅逐年减小，如下图所示。

据上海集成电路行业协会（SICA）对基地内75家主要企业的跟踪统计，2006年上半年至2008年上半年行业整体的利润总额逐步提升，同期基地内集成电路产业利润比较（单位：万元）,如下图所示。

格兰达自主新设备亮相IC CHINA2008

在今年的IC China展会上，格兰达的特大装备展示阵容向业界呈现了最新技术与设备，并集中展示了新品GMark BGA 620多功能高效设备，这款设备针对槽式料盒及堆叠式料盒（Slot Magazine）盛放的半导体料条，能够更好地在多种芯片、多种尺寸、多种形式的要求下进行快速精准的标刻。设备采用最新的双头光纤激光，打标范围300mmx150mm，能够覆盖到整个半导体料条，打标工作一次完成，适用于BGA、SLP、QFP、QFN、SOP、SOIC、TO、DIP等产品，采用双头激光、标前方向检测、视觉系统定位、标中ID检测、标后质量检测，导轨自动调整宽度，较好的兼容弯曲的料条和有毛刺的料条，全自动PC-Based控制系统，多语言及时切换界面，可连接服务器进行自动recipe下载或远程控制，生产数据分析统计，设备运行日志全记录，导轨可调宽度范围40mm～90mm，空跑速度约1000条/小时，打标定位精度20um（带视觉定位时），最小可标刻芯片尺寸1mmx1mm，标刻速度300字符/秒。

ARM、特许、IBM

及三星共推32、28纳米SOC

IBM、特许半导体制造有限公司、三星电子有限公司以及ARM公司日前宣布：他们将在高k金属栅 （HKMG）技术的基础上开发一个完整的32纳米和28纳米的片上系统（SoC）设计平台。HKMG技术是由IBM领导的联合开发团队所开发的。ARM同时宣布：将利用公共平台HKMG 32纳米/28纳米技术独特的特性，开发定制化的物理IP，以实现当前和未来的ARM Cortex系列处理器在功耗、性能和面积等方面的优化。HKMG技术打破了历史上关于扩展的障碍，通过利用新材料科技的创新，大大提高了在功耗和性能方面的优势。这个技术可用于众多嵌入式领域，包括移动产品、便携产品和消费电子产品。

OmniVision 推出全球首款

1/3英寸的8百万画素传感器

OmniVision日前推出全球第一款 1/3英寸 8百万画素CMOS影像传感器。全新的OV8810是该公司第一款使用最新推出的1.4 微米 OmniBSITM背面照度技术所研发的CameraChip产品。1/3吋的 OV8810体积小到足以纳入8.5 x 8.5 x 7 mm 的相机模块当中，并且可以用每秒10个讯框（fps）的速度以最高的8百万画素分辨率输出数据。其可以60 fps的速率撷取720p高传真（HD）视讯影片，或以30fps的速度撷取 1080p 的影片数据。 在QVGA 分辨率方面，此传感器可以达到 120 fps的数据输出速率，符合慢动作视讯影片的需求。 OV8810 可透过双信道高速MIPI接口或并行接口支持 8/10/12位的 RAW RGB数据 。

KLA-TENCOR 推出 PROLITHTM 12

KLA-Tencor 公司近日推出了 PROLITHTM 12 ，这是一款业界领先的新版计算光刻工具。此新版工具让领先的芯片制造商及研发机构的研究人员能够以具有成本效益的方式探索与极紫外线 （EUV） 光刻有关的各种光罩设计、光刻材料及工艺的可行性。PROLITH 12 是 KLA-Tencor 先进光刻解决方案组合中的拳头产品，已被美国和亚洲的研发机构及先进的内存制造商采用，帮助研发工程师判断 EUV 光刻的可行性，并确定 EUV 能够获得成功的条件。

STATS ChipPAC与ST、Infineon

合作开发eWLB晶圆级封装工艺

STATS ChipPAC、ST和Infineon日前宣布，在英飞凌的第一代嵌入式晶圆级球栅阵列（eWLB）技术基础上，三家公司将合作开发下一代的eWLB技术，用于封装未来的半导体产品。通过Infineon对ST和STATS ChipPAC的技术许可协议，主要研发方向是利用一片重构晶圆的两面，提供集成度更高、接触单元数量更多的半导体解决方案。

中兴选择Tundra PCI Express产品

创建下一代平台

系统互连领域厂商Tundra（腾华）半导体公司已经被电信设备和网络解决方案供应商中兴公司选中，为中兴下一代平台系统图形卡提供Tundra的高性能PCI Express产品。

中兴公司为提高其新型图形卡的总体性能选择Tundra的高性能半导体产品。Tundra的高性能半导体产品的典型功耗为1.3瓦，并加入功率管理模块使运行期间的功耗最小化。此外，Tundra的PCI Express产品被赋予了灵活性、高性能、占板面积小、低功耗和drop-in连接兼容性，这些均为中兴新型设计所需的性能。

富通微电与南亚签署协议

了结芯片专利纠纷

据道琼斯通讯社报道，南通富士通微电子股份有限公司（Nantong Fujitsu Microelectronics Co., 简称：富通微电）和南亚科技（Nanya Technology Corp., ）近日表示，双方签署了一份专利许可协议，以解决双方围绕动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory, DRAM芯片）的专利纠纷。

两公司发表联合公告表示，根据协议，南通富士通微电子股份有限公司母公司富士通（Fujitsu Ltd., ）将撤回要求法院禁止南亚科技DRAM芯片进口日本的禁令。

NEC加入IBM芯片联盟

联合研发新一代微芯片

NEC电子公司日前宣布，将与IBM和其它公司联合研发新一代微芯片，以解决高额开发成本。

据悉，芯片制造商正在就缩小芯片体积及提高芯片性能方面进行共同努力，同时还在尽力降低制造成本，下调芯片售价。NEC将是加入IBM芯片联盟的第八家制造商，该联盟的成员包括三星电子、东芝、意法半导体、英飞凌、飞思卡尔以及特许半导体。

炬力最新MP4芯片

将支持移动高清RMVB

近日,炬力与美国Real公司达成合作计划,共同推广移动高清RMVB格式在便携播放器领域的普及。据悉,炬力将在最新推出的MP4芯片中支持移动高清RMVB格式。

Real公司的RMVB格式是目前互联网上普及程度最高的一种压缩格式,但是对于不少MP4的用户来说,直接下载此格式的文件并不能保证其100%被兼容播放。为此,Real公司提出了专门针对便携式设备的移动高清RMVB格式。而炬力最新推出了支持移动高清RMVB格式的MP4芯片。同时,炬力还联合了正版视频内容供应商酷开网共同支持这一标准,形成了由内容提供商、芯片制造商和播放器生产厂商三方合力的销售模式。

同洲GPS采用思亚诺技术

支持DVB-T移动电视功能

日前，数字电视供应商同洲宣布推出GPS产品系列的新成员CPND-4303A。该产品采用思亚诺（Siano）接收器芯片，可支持DVB-T移动电视功能。 CPND-4303A采用思亚诺的SMS1130多标准接收器芯片，不仅可接收高质量DVB-T信号，而且还可实现良好的功耗性能以及移动性能，从而使消费者在室内与室外均可长时间享受高分辨率数字电视节目，即便在高速移动过程中也丝毫不受影响。

AMD明年初推出45纳米芯片

据赛迪网报道，AMD计划在明年初公布首款采用45纳米工艺生产的桌面处理器。代号为Deneb的这款芯片的时钟频率不会太高，但较大容量的缓存和架构方面的改进将使得其性能有较大幅度的提高。据悉，该公司首批45纳米桌面处理器将是时钟频率为2.80GHz和3.00GHz的Phenom X4芯片。新款处理器支持DDR2和DDR3内存。但由于将捎肁M2+封装技术，因此新款处理器将只能支持DDR2 PC2-8500内存。令人惊异的是，45纳米工艺并没有使AMD处理器的能耗降低四核Phenom X4处理器的能耗。新款Phenom X4处理器的设计功耗为125瓦，与目前的高端Phenom X4处理器相当。但是，新款处理器的效能比更高。

IBM联盟研制出22nm SRAM

IBM联合联盟厂商AMD、意法半导体、Freescale、东芝以及CNSE发布首款22纳米技术工艺生产的SRAM芯片，SRAM存储单元由传统的6个晶体管集成在0.1μm2区域中。传统的SRAM芯片集成密度受到堆积基础尺寸影响，也就是一个单元的面积，不过IBM联盟研究机构优化了单位存储单元设计，以及电路设计，以增强其可靠性，借助新技术使得提升SRAM单元存储密度成为可能。该项技术使用高NA浸没式光刻技术，在300毫米晶圆芯片上实现全新的密度极限。该SRAM单元包括采用高k/金属栅电极堆栈、栅长25nm、薄间隙层、创新的钴注入和先进的活化技术、超薄硅化物曾以及铜大马士革接触。该芯片将会在IBM位于纽约州Albany的300mm研发工厂进行测试和试产。

大唐移动与上海贝尔阿尔卡特合作

全面推广TD-SCDMA

中国主要的TD-SCDMA供应商大唐移动通信设备有限公司与阿尔卡特朗讯在中国的旗舰公司上海贝尔阿尔卡特联合宣布，双方签署合作备忘录，共同加速推进TD-SCDMA在国内外的商业发展进程。根据该备忘录，大唐移动与上海贝尔阿尔卡特将成立一个联合小组，制定一个全面的策略，开发资源与制造必需的基础设施，并共同进行标准制订、质量控制和产品检测，以满足未来中国及世界其余各地对TD-SCDMA的需求。作为合作的一部分，双方将共享生产、工艺、测试、质量控制等相关文件。依据联合小组制定的发展时间表，大唐移动与上海贝尔阿尔卡特将共同致力于优化现有技术和商务评审流程，并明确双方职责，提高对TD-SCDMA市场的响应速度。

根据本备忘录确立的原则，大唐移动与上海贝尔阿尔卡特将就合作产品的生产及TD-SCDMA市场合作签订具体的合作协议。在国内TD-SCDMA市场合作中，大唐移动将优先选择上海贝尔阿尔卡特为合作伙伴。双方将继续以联合体形式投标关键项目。

思卡尔联袂Harris

合作电视广播芯片

Harris公司与飞思卡尔半导体公司（Freescale）日前共同宣布了二者在广播领域进行一项芯片交易。根据该计划，Harris生产的新型地面电视广播发射器中，将集成飞思卡尔UHF频段的横向扩散MOS（LDMOS）技术。飞思卡尔最新的LDMOS工艺提供了UHF频段的功率级别，进而可以用于模拟及数字电视广播。Harris广播通信部门的总裁TimThorsteinson在一份声明中称，通过这项技术带来的设备功率提高，Harris可以设计、建造及供货当今最紧凑最有效的电视发射机。

富士通携手西南交通大学成立

MCU联合实验室

富士通微电子（上海）有限公司今日宣布将与西南交通大学携手建立联合实验室。该实验室将成为学生开展创新试验的平台，继续开展大学生研究训练（Students Research Training, 简称SRT）项目，为在校生提供一个参与科学研究训练的机会。

联合实验室配备了富士通微电子公司最新的8位微控制器F2MC-8FX家族MB95200系列微控制器，帮助教师指导学生进行实际动手操作、实践。该系列控制器采用经过验证的嵌入式闪存技术，拥有强大的网络支持能力，不但可提供低成本软件开发环境，还可通过下载获取数据表/硬件手册、应用指南、样本软件模板、SOFTUNE、C库及样品申请等，非常易于学生进行应用实践。

英特尔推出效能更高的

六核处理器芯片

全球最大电脑芯片制造商英特尔（Intel）公司宣布推出最新款的六核微处理器芯片，以提升电脑的运作能力，同时协助节省耗电量。最新的“至强7400系列”（Xeon 7400）芯片，是向“无限数核心”芯片发展的重要一步，这种多核芯片能够连续和有效地分担电脑运作任务。

英特尔和AMD此前已经推出两核和四核芯片，这新的六核芯片的处理能力比四核芯片高50%，但在这同时耗电量却减少了10%。这是因为至强7400在一块晶片内集成了所有6颗核心，而现有的四核芯片是两块晶片封装在一起，因此相较之下比较耗电。多核微处理器适于电脑应用的新趋势，比如在互联网上看电影等。

特许半导体透露40nm、32nm

和28nm制程进展

为了在代工市场上获得更领先的地位，新加坡特许（Chartered）半导体透露了公司的全新发展路图，其中包括可能于明年开发出28nm制程。特许已公开发布了45nm制程，目前已推向市场，现正在悄悄开发40nm半节点制程。据特许副总裁Walter Ng介绍，特许目标在2008年内投产40nm制程产品。他同时透露了32nm制程将于2009年推出，但Ng拒绝对28nm技术进行详细介绍。

安捷伦科技推出世界上第一款配有 OLED 显示器的手持式数字万用表

安捷伦科技公司日前推出 U1253A 手持式数字万用表（DMM），这是世界上第一款使用有机发光二极管（OLED）显示器的 DMM。无论是对于外场使用，还是在工作台上的应用，OLED 提供2000:1的对比度，160度的观察视角，流畅的字体和“大显示”模式，以保证如水晶般清晰的显示效果。

U1253A是Agilent U1250 系列手持式数字万用表的扩展。这一系列高性能手持式万用表是专门为简化电子电路查错和验证进行的设计，可以帮助工程技术人员轻松完成日常测试任务，且不受工作台的束缚。

恩智浦推出新型

FlatPower 封装的整流器

恩智浦半导体近日宣布推出全新FlatPower封装的MEGA Schottky整流器，包括SOD123W和SOD128。因为“金属板绑定”的封装成果，新的MEGA产品带来可媲美标准SMA封装的高功率性能。新产品以其卓越的前向压降，可以允许50A的峰值电流最峰和高至1W的Ptot功率耗散。

同时，两种封装相较SMA封装高度减小了50%，因而能够支持更加小型超薄设计。SOD123W以2.6 mmx1.7mmx1mm的小尺寸，支持这种小型化的技术趋势；SOD128的尺寸则为3.8mmx2.5mmx1 mm。两种封装引脚与SMA和SMB封装的焊盘都兼容，提供了与它们一一对应替代的理想解决方案。

SILVACO 与南通大学建立联合实验室

SILVACO 与南通大学电子信息学院于日前在南通大学举行了建立联合实验室的签约仪式。该联合实验室的建立，提供了采用TCAD软件仿真结合实际半导体工艺线来进行微电子工艺课程教学的先进手段，该联合实验室提供的系列微电子工艺课程，对于南通大学电子信息学院的微电子人才的培养、教学课程研究具有重要意义。为进一步发挥各自的优势，提升合作水平，SILVACO将在11月8日在南通大学TCAD实验室进行工艺与器件设计与研究的实例培训课程。

凌力尔特公司推出

高电压电池组监视器LTC6802

凌力尔特公司9月22日宣布批量供应高电压电池组监视器LTC6802集成电路，可适用于混合动力/电动汽车和电池备份系统。该电路是高度集成的多节电池监视芯片 ，能测量多达 12 个单独的电池。该器件的专有设计使得能够把多个 LTC6802 串联起来 （无需使用光耦合器或光隔离器），以实现长串串接电池中每节电池的精准电压监视。长电池串能够实现高功率和可再充电应用，例如：电动汽车、混合动力汽车、单脚滑行车、摩托车、高尔夫球车、轮椅、小船、叉式升降机、机器人、便携式医疗设备和不间断电源 （UPS）系统。

由于具有较高的能量密度，锂离子电池可作为这些应用的首选能源。但是，锂离子电池对过度充电或过度放电很敏感，因而必需对电池组中的每节电池进行谨慎的控制。由于LTC6208 能够对每节电池的电压进行快速而准确的测量 （即使在电池组电压超过1000V 的情况下也不例外），因此可以满足上述要求。

在-40℃至85℃的温度范围内最大总测量误差保证小于0.25%，而且电池组中每节电池的电压测量都可以在13ms 之内完成。对每节电池均进行了欠压和过压条件监视，并提供了一个相关联的 MOSFET 开关，用于对过充电电池进行放电。每个 LTC6802 通过一个1MHz 串行接口进行通信，并包括温度传感器输入、GPIO 线和一个精准的电压基准。

LTC6802 还可以满足汽车和工业应用所需要的环境和可靠性要求。它的技术规范针对-40℃至 85℃的工作温度范围进行拟订，并提供了诊断和故障检测功能。它采用小外形8mmx12mm 表面贴装型封装，既坚固，又小巧。LTC6802 的千片批购价为每片9.95 美元，样片、演示电路板和产品手册现已在 www.linear.com.cn 网站上提供。该产品的生产批量供货将于2008 年第4季度开始。

Xilinx助力西安交大蝉联

亚太区大学生机器人大赛冠军

赛灵思公司日前宣布，西安交通大学借助赛灵思公司的可编程解决方案，在印度浦那（Pune）举办的第七届亚广联亚太区大学生机器人大赛（ABU Robocon 2008）上再次夺冠。Robocon 是一项著名赛事，参赛的工科学生们竞相设计出能够应对某一特殊挑战的最佳机器人。

此项年度竞赛由亚太广播联盟（Asia Pacific Broadcasting Union）在2002年发起，旨在开发战略性思维、领导能力和团队建设能力。赛灵思公司赞助的西安交通大学参赛团队于今年年初在北京举行的全国竞赛中赢得代表中国出战的权利。该团队在击败了来自中东和亚洲其他16支代表队之后率先闯入决赛，并最终荣获2008年 Robocon 机器人大赛冠军。

Silicon Labs推出以全硅振荡器部分取代石英振荡器

日前，高性能模拟与混合信号IC设计公司Silicon Laboratories宣布推出全CMOS振荡器，以此进入消费性定时市场。新产品不仅交货时间较短，成本较低，可靠度较高且性能更佳，成为一种在中等频率范围内，在消费性应用市场取代石英振荡器（XO）的理想方案。在所有针对大量消费性应用的振荡器中，新推出的Si500系列的频率范围在0.9MHz~200MHz内；具有最差分和单端时钟选择，总功耗和抖动都比较低。十分适合应用于数码相机，摄像机，打印机，个人计算机外设，液晶显示，服务器和存储装置。该产品命名为Si500，采用4 或6-引出端的，3.2 x 4.0 mm DFN封装，按照频率的不同，10,000个的单价自0.95美元到2.24美元不等。

ACHRONIX 半导体公司

实现突破性的 FPGA 性能

日前，Achronix 半导体公司宣布全球速度最快的 FPGA 现已开始供货，从而充分展现了现场可编程门阵列 （FPGA） 设计领域30 年来的重大突破，并从根本上解决了为实现高灵活性与加速产品上市进程而不得不牺牲性能的难题。Speedster 系列的首款产品为SPD60，该产品系列的速度可达 1.5 GHz，性能比现有FPGA 提高了 3 倍。

Speedster系列 FPGA 采用 Achronix 的 picoPIPE 专利加速技术，可提高数据在 FPGA 架构中的传输速度。如果没有全局时钟，picoPIPE 将采用简单的握手协议来高效地控制数据流，从而大幅提高性能，同时还使用适用于设计入门的标准 RTL 以及常用的 FPGA 工具。这种创新型技术与 10.3 Gbps 串行器／解串器 （SerDes） 完美结合，有助于提高系统吞吐量，而且还可配合集成 DDR2/DDR3 控制器支持高速存储器接口，因此 Speedster 产品系列的 I/O 速度能够完全与其出色的内核性能相匹配。该产品采用 TSMC 的高性能 65 纳米G+ CMOS 工艺制造。

ADI公司推出两款八通道超声接收器

随着医院、门诊以及急救部门越来越多地依赖高性能便携式超声设备进行日常、预防以及紧急医疗服务，超声设备设计工程师必须满足不断变化的新需求，在成像质量与功耗之间达到更好的平衡。ADI公司为满足这一需求，推出了两款八通道超声接收器——AD9272与AD9273，其中AD9272具有业界最低的终端噪声，适合需要获得卓越图像质量的高、中端推车式超声设备；而AD9273在同类产品中，能提供最高的电源效率，满足便携式超声系统的需求。在现实环境下工作时，AD9272在5MHz下具有业界最低的噪声，折合到输入端噪声仅为0.75 nV/rtHz，其输入动态范围也比同类器件高出6 dB/rtHz。对于便携式超声设备而言，AD9273具有业界领先的功耗，在12-bit、40 MSPS时，每通道功耗低于100 mW，有助于延长超声设备的电池寿命。AD9272与AD9273具有高达42 dB的可变增益范围，可选的抗混叠滤波器，并与ADI同系列的其它产品引脚兼容。AD9272内置ADC的转换速率高达80 MSPS；AD9273内置ADC的转换速率高达50 MSPS。AD9271的可变增益范围为30 dB，内置ADC的转换速率高达50 MSPS。AD927x系列器件为医疗设备设计工程师提供了在不同成像模式下，扩展电源与性能的灵活性。