1 抛光布对比工艺试验
1.1 实验条件
抛光设备为日本不二越SPM-19型单面抛光机, 抛光压力为180Kg, 抛光液配比为水:二氧化硅溶液:Naclo=10:1:0.3。
1.2 实验方案
分别采用SUBA400、SUBA600、SUBA800型抛光布进行实验, 对比抛光速率及抛光片表面状况。
1.3 实验结果
抛光速率结果如表1。
抛光片表面状况如图1~3。
2 抛光压力对比工艺试验
2.1 实验条件
抛光设备为日本不二越SPM-19型单面抛光机, 抛光布选用SUBA600型抛光布, 抛光液配比为水:二氧化硅溶液:Naclo=10:1:1。
2.2 实验方案
抛光压力分别采用120 Kg、140 Kg、160 Kg、180 Kg进行实验, 对比抛光速率及抛光片表面状况。
2.3 实验结果
抛光速率结果如表2。
在强光灯下观看锗片表面, 锗片表面状况随着抛光压力增大, 划道缺陷增多。在干涉显微镜下查看表面划道如图4。
3 抛光液配比对比工艺试验
3.1 实验条件
抛光设备为日本不二越SPM-19型单面抛光机, 抛光布选用SUBA600型抛光布, 抛光压力为180Kg。
3.2 实验方案
抛光液配比分别采用D.IH2O:二氧化硅溶液:Na Cl O=10:1:0.3、D.IH22O:二氧化硅溶液:Na Cl O=10:1:0.6、D.IH2O:二氧化硅溶液:Na Cl O=10:1:0.8及D.IH2O:二氧化硅溶液:Na Cl O=10:1:1进行实验, 对比抛光速率及抛光片表面状况。
3.3 实验结果
抛光速率结果如表3。
在强光灯下观看锗片表面, 在Na Cl O占比为0.3及0.6时, 锗片表面未发现腐蚀状斑块。但在Na Cl O占比为0.8及1时, 锗片表面出现腐蚀状斑块, 且锗片在Na Cl O占比为1时, 锗片表面腐蚀状斑块占比较大。在干涉显微镜下查看表面腐蚀状斑块如图5。并对表面腐蚀状斑块占比较多的锗片进行表面雾值测量。锗片表面雾值测试结果如图6。
4 实验分析
通过抛光布对比实验, 我们可以看出, 在三种抛光布试验中, 采用SUBA400型抛光布抛光锗片可以获得较好的抛光片表面, 但抛光速率最低。采用SUBA800型抛光布抛光锗片抛光速率最高, 但锗片表面水平最差。采用SUBA600型抛光布抛光锗片, 抛光速率及锗片表面水平适中。为了获得最好的锗片表面水平及较快的抛光效率, 我们设计采用SUBA600型抛光布粗抛光锗片, 再采用SUBA400型抛光布抛光锗片。
通过抛光压力对比实验, 我们可以看出, 锗片抛光速率随抛光压力的增加而增大, 但抛光片表面的划道缺陷却逐渐增多。抛光片表面划道在干涉显微镜下观测呈现一条连续的点状缺陷, 结合干涉显微镜的50倍放大倍数, 我们可以判断此种划道为极浅的轻微划道, 极易再次抛光去除。结合抛光布实验结论, 我们拟采取SUBA600型抛光布及180Kg的抛光压力粗抛光锗片, 再采用SUBA400型抛光布及120Kg的抛光压力抛光锗片。
通过抛光液配比对比实验, 我们可以看出, 锗片抛光速率随抛光液中Na Cl O占比增大而增大, 但抛光片表面的腐蚀缺陷却逐渐增多。抛光片表面腐蚀缺陷在干涉显微镜下观测为腐蚀状斑块, 结合干涉显微镜的50倍放大倍数, 我们可以判断此种腐蚀缺陷较浅, 较易再次抛光去除。
综上所述, 我们采取SUBA600型抛光布、180Kg的抛光压力及配比为D.IH2O:二氧化硅溶液:Na Cl O=10:1:1的抛光液粗抛光锗片, 再采用SUBA400型抛光布、120Kg的抛光压力及配比为D.IH2O:二氧化硅溶液:Na Cl O=10:1:0.3的抛光液抛光锗片。通过实验, 我们获得了表面较好的锗双面抛光片。
摘要：本文主要介绍了一种采用抛光垫夹持锗片进行抛光的新型抛光工艺。通过对比选用不同型号的抛光布, 施加不同抛光压力及采用不同抛光液配比进行工艺对比试验, 最终确定锗片抛光工艺, 并对采用该工艺抛光锗片进行测试分析。
关键词：抛光垫,抛光布,抛光压力,抛光液配比