电阻测量论文范文

小编精心整理了《电阻测量论文范文(精选3篇)》，仅供参考，希望能够帮助到大家。摘要：本系统以单片机STC89C52为数据处理和控制芯片，采用恒压源给待测电阻提供稳定电压，通過采样待测电阻Rx上的电压值，经放大后送至A/D转换，然后送人MCU进行数据处理，并将测量结果通过LCD12864液晶显示。

第一篇：电阻测量论文范文

二次开发教材 探究电阻定律

摘 要：本文利用自制教具，创造性地使用教材，引导学生设计并探究电解质溶液(硫酸钠溶液)的电阻与其长度、横截面积的关系，帮助学生更全面地认识电阻定律。

关键词：液体电阻;电阻定律;长度;横截面积

《普通高中物理课程标准》明确提出：“倡导不受某一种教科书的束缚，吸收和利用各种有利于学生发展的课程资源。教师应根据本校特点和学生的需求，精选课程资源，充实物理课程的教学内容。”可见，在新课程背景下，教师不能再只是“教材的消费者”，更应努力成为“教材的开发者”。另外，由于教材编写受科学性、完整性和逻辑性的要求，往往会缺乏趣味性。而从教科书演变成实际教学活动的过程，又需要师生积极互动、智力交锋、相互启迪、设问释疑、轻松和谐的氛围，单纯的教材是无法满足教学要求的。因此，二次开发教材，提高教学的有效性是每位教师都应努力的方向。那么，如何进行教材的二次开发呢?

以“司南版”高中物理选修3-1第三章第二节《电阻》为例，教材分为“探究电阻大小影响因素”和“身边的电阻”两部分。笔者根据所教学生的具体情况以及校本资源储备，对该部分教材进行了二次开发。

(1)补充教材内容：增加了探究电阻大小受温度、光照、溶质和浓度等因素影响的系列实验作为引入，补充介绍液体电阻启动柜等知识，既增强了趣味性，又拓宽了学生的知识面。

(2)调整教学顺序：将“身边的电阻”调到探究实验之前，作为引入实验和液体电阻的衔接，使教学过渡更自然。

(3)替换教学内容：教材中采用几条同材料同规格的金属丝串联改变长度、并联改变横截面积的方法，让学生定量探究电阻大小的影响因素。该方法设计巧妙，能够达到实验目的。但不够直接，且电路的连接较为繁杂。教学实践中发现，学生在连接电路时要花大量的时间，从而导致后面的分析讨论非常紧张，重点不能突出。考虑到在初中阶段，学生已尝试过利用金属丝定性探究电阻大小与其长度、横截面积的关系，而电阻定律不仅适用于金属导体，也适用于均匀的电解质溶液。为了让高中学生对电阻定律有更宽广、更深入的认识，笔者自制简单的教具，将定量探究的对象由固体电阻改为液体电阻——硫酸钠溶液。引导学生利用自制的教具自主设计实验进行探究，得出电阻定律。

教材二次开发后的具体教学设计如下。

1 引入：“谦卑而又万能的电阻”(演示实验)

【实验准备】

光敏电阻、热敏电阻各一个，三极管放大器、小灯泡各两个，电池四个，凉水和开水各一杯，手电筒一把，导线若干。

1.1 光照对光敏电阻的影响

【学生观察】

光照越强，小灯泡越亮。

【现象分析】

光敏电阻的阻值随光照增强而减小。

1.2 温度对热敏电阻的影响(对比浸入开水和凉水)

【学生观察】

温度越高，小灯泡越亮。

【现象分析】

热敏电阻的阻值随温度升高而减小。

【应用讨论】

光敏电阻可用于路灯自动开关等电路的自动化控制;热敏电阻可用于火警报警电路的自动化控制。

1.3 展示不同种类电阻器的图片，认识“身边的电阻”

【设计意图】

让学生初步了解电阻大小的影响因素，并体验电阻器在自动化控制中的应用，激发学生的学习兴趣。

2 液体电阻

【衔接】

不仅固体可以充当电阻，液体也可以充当电阻。

2.1 展示图片：液体电阻启动柜及水阻箱

【介绍】

这是工业上大中型电机启动时用的液体电阻启动柜。水阻箱内装了电解质溶液可以充当电阻。它是怎样工作的呢?

【设计意图】

通过联系生产中的大型设备，引导学生关注STS，体会物理在生产中的贡献，激发学生学习物理的欲望，同时又为后面的探究实验做铺垫。

2.2 演示实验：溶质及浓度对液体电阻的影响

【实验准备】

电解质溶液导电演示器(化学实验室借用)、高中学生电源(选择“交流”)各一台，现榨橘汁、自来水各一杯，同浓度盐水、硫酸钠溶液各一杯，无水硫酸钠粉末，导线若干。

【学生观察与分析】

(1)连接好电路，接通10 V交流电后，同浓度食盐水支路的小灯泡最亮，硫酸钠溶液支路的小灯泡发光但较暗，橘汁和自来水支路的小灯泡不发光。可见，液体电阻受溶质影响。

(2)浓度对液体电阻有何影响?

在硫酸钠溶液中适量增加无水硫酸钠粉末，小灯泡变亮。可见，液体电阻受浓度影响。

(3)如何让与橘汁串联的灯泡发光?还有什么方法可以使其亮度发生变化?

①改变橘汁中两极板的间距。随极板间距减小，小灯泡变亮;随极板间距增大，小灯泡变暗。可见，液体电阻大小与其接入电路的长度有关。

②将两极板平行上下移动。

(4)极板平行上下移动改变的是什么物理量?

引导学生根据连接方式，找出相应的长度和横截面积并总结：

长度L：沿电流方向;

横截面积S：垂直于电流方向。

可见，极板上下移动改变了液体电阻的高度，从而改变了液体电阻的横截面积。

【设计意图】

通过演示实验让学生初步感受液体电阻大小的影响因素，减少学生实验探究的任务，同时为控制变量做准备。另外，果汁电阻与学生生活联系紧密，让学生体会电阻无处不在，激发学习的兴趣。

3 电阻大小的影响因素

3.1 师生总结

电阻大小与以下因素有关：

(1)与材料、温度、光照、液体浓度等有关;

(2)长度;

(3)横截面积。

【提出问题】

电阻大小与长度、横截面积是怎样的关系?

【学生猜想】

电阻随长度的增大而增大，随横截面积的增大而减小。

【进一步提问】

电阻大小与长度、横截面积具有怎样的定量关系?

【学生猜想】

电阻与长度成正比，与横截面积成反比。

【教师说明】

随着一个量的增大而增大不一定是成正比，随一个量的增大而减小也不一定是成反比，它们具体是什么关系?我们需要通过实验来研究。

3.2 实验设计

(1)实验方法：控制变量法

【提问】

如何控制变量?

【学生】

控制S、材料等不变，改变L，研究R与L的关系;

控制L、材料等不变，改变S，研究R与S的关系。

(2)引导学生根据实验器材设计实验

【提出问题】

如何改变长度?如何改变横截面积?

展示自制教具：

【提出问题】

如何根据桌面上的器材设计实验?

【引导学生设计】

①通过保持极板插入的深度不变，改变两极板间距，即可改变接入的液体电阻的长度;

②通过固定两极板的距离，定量增加液体，即可改变接入液体的横截面积。

【提出问题】

如何测电阻?

【学生】

伏安法。

【仪器介绍】

高中学生电源：使用交流电压4 V输出，以减小溶液中正负离子由于电解而使相对浓度改变。交流电流表：选择量程100 mA，最小刻度2 mA，注意读数。

交流电压表：量程5 V，最小刻度0.2 V，注意读数。

【实验电路】

电源、液体电阻、交流电流表串联，交流电压表并联在液体电阻两端。

【注意事项】

(1)注意保持两极板(铜片)平行且相对;

(2)读数时，应正视刻度，保持视线与刻度面垂直;

(3)每次读数后应立刻关闭电源再进行下一步操作，以减小温度对电阻的影响;

(4)实验结束后，应注意溶液的回收再利用。

【设计意图】

这是本节课的创新所在。

本实验装置，连线及测量都很简单，学生看到装置都能在教师的引导下进行设计。另外，对于固体电阻，学生比较熟悉，在初中已定性探究过了。而对于液体电阻，学生相对陌生些。通过这个实验可以加强学生对液体电阻的认识。选择硫酸钠溶液的好处是其电解后不会产生有毒气体，安全。液体电阻的另一优点是可以通过改变浓度，调整其电阻大小，简单方便。盒子的制作也简单且成本低。

3.3 学生实验探究并由四组同学派代表把数据录入Excel表格(表1、表2)

3.4 数据分析

(1)插入公式计算电阻R，分别作R-L图像和R-1/b图像;

(2)插入过原点的倾斜直线进行拟合(如图3、图4所示);

(3) 误差分析。

【设计意图】

利用Excel表格处理数据，使作图更准确、更高效，既体现了信息技术与物理学科教学的融合，又为课堂争取了宝贵的时间。

3.5 得出结论

【学生归纳实验结论】

导体的电阻R跟它的长度L成正比，跟它的横截面积S成反比，还跟导体的材料有关。

【教师总结】

总结电阻定律，引入新的物理量——电阻率ρ，引导学生得出电阻定律的表达式，并分析各物理量的单位关系。

4 认识电阻率

1.电阻率ρ与电阻R的区别：

ρ反映材料的导电性能，与L、S无关;

R 反映导体的导电性能，与L、S有关。

2.电阻率ρ随温度的变化规律：展示“司南版”选修3-1课本中第55页的图3-10和图3-11，并讨论。

5 生产应用——液体电阻启动柜

液体电阻启动柜工作时，通过机械传动装置使电解质溶液中两平行极板的距离逐渐减小至零，从而使连入电机回路中的阻值平滑减小，实现绕线式大中型电动机的平滑起动，避免冲击电流过大。故液体电阻启动柜广泛应用于工业上大中型电机的启动。

【设计意图：前后联系，学以致用】

液体电阻相对于金属导体而言，较为复杂。很多老师对其望而却步，不敢谈及。但其实只要事先把实验条件设置好，学生是可以理解和接受的。本文中的探究实验设计是笔者经历两个多月不断摸索和改进的成果。多次教学实践发现，学生能很好地根据实验器材，围绕实验目的展开探究，得出结论，并对液体电阻有更深入的认识。利用液体电阻进行实验，不仅能丰富学生的认知，同时缩短实验时间，而且可以通过改变溶液溶度调整电阻大小。相对于固体电阻而言，利用液体电阻进行实验，更简单方便，成本更低。

新课程要求教师既要是课程的实施者，又要努力成为课程的开发者和建设者。这就需要教师们在教学实践中有足够的勇气和毅力，大胆地去尝试调整教材、开发教材，以使教学活动更符合具体的学情和校本需求。尝试的过程是艰辛的，但成果是喜人的!

参考文献：

[1]教育部. 普通高中物理课程标准(实验稿)[S].北京：人民教育出版社，2003.

[2]陈野. 新课程背景下对高中物理教材“二次开发”的思考与探索[J].物理教学探讨，2009，27(3)：58.

[3]刘豹，张宏. 液体电阻率测定电路的设计[J].电子测量技术，2010，33(11)：57—60.

[4]张怀年，姚东永.利用伏安特性曲线探究电解槽导电规律[J].中学物理，2009，27(3)：15—16.

[5]葛桂莲. 怎样理解欧姆定律适用于电解液[J].中学物理教学参考，2007，36(6)：18.

(栏目编辑 李富强)

作者：陈小雅

第二篇：基于单片机STC89C52的电阻测量系统设计

摘 要：本系统以单片机STC89C52为数据处理和控制芯片，采用恒压源给待测电阻提供稳定电压，通過采样待测电阻Rx上的电压值，经放大后送至A/D转换，然后送人MCU进行数据处理，并将测量结果通过LCD12864液晶显示。该测试系统能够实现1Ω～10MΩ电阻量程的自动切换、自动筛选，并且可以对电位器的阻值变化进行扫描测试，并将测试得到的曲线在LCD12864液晶显示。

关键词：恒压源；单片机；A/D转换

随着电子工业的发展，电子元器件种类增多，电阻作为各类电子元器件中用量最多的器件，它的精确与否对产品的性能影响很大，现在的一些精度高的电阻测量仪器价格偏高或者操作复杂。本系统采用通用单片机STC89C52实现1Ω～10MΩ电阻量程的自动切换、自动筛选，在自动筛选功能上可以实现测量范围设定，对不满足产品要求的电阻能够声音报警；对电位器的检测可以在液晶显示器上画出阻值变化曲线，能方便的检测出电位器阻值变化是否符合产品设计的需求。

1 系统总体设计

系统总体设计框图如图1所示。该系统通过数据采集单元采集到待测电阻上的电压值，然后经运放OP07放大后送入A/D转换单元，由高精度12位A/D转换器TLC2543来完成数据的转换，并送入MCU处理器处理后送到显示系统。

1.1 MCU处理器的选择

系统选用STC89C52作为MCU处理器，其主要特点：STC89C52与MCS-51系列的单片机在指令系统和引脚上完全兼容是一种低损耗、高性能、CMOS构架的八位微处理器，片内有4k字节的在线可重复编程、快速擦除快速写入程序的存储器，能重复写入/擦除1000次，而且擦写时间仅需10毫秒，并能将数据保存时间为十年。只要程序长度小于4K，四个I/O口全部提供给用户。可用5V电压编程，没有两种电源的要求，改写时不拔下芯片，适合许多嵌入式控制领域。工作电压范围宽（2.7V～6V），全静态工作，工作频率宽在0Hz～24MHz之间比8751/87C51等51系列的6MHz～12MHz更具有灵活性，系统工作频率能快能慢。

1.2 A/D转换器的选择

根据测量的精度和端口的要求，系统选用TLC2543作为A/D转换器。TLC2543是TI公司的12位串行模数转换器，使用开关电容逐次逼近技术完成A/D转换过程，工作温度范围内10μs转换时间，11个模拟输入通道，3路内置自测试方式，采样率为66kbps，线性误差±1LSBmax，有转换结束输出EOC，具有单、双极性输出，可编程的MSB或LSB前导，可编程输出数据长度。由于是串行输入结构，能够节省51系列单片机I/O资源；且价格适中，分辨率较高，因此在仪器仪表中有较为广泛的应用。

2 主要硬件电路设计

2.1 自动档位切换电路设计

因为从1Ω～10MΩ电阻阻值跨度太大，为了测量的准确度，设计中利用继电器实现档位的自动切换。电路采用LM7805构成恒压源，R1，R4为两个高精度基准电阻，RX为被测电阻，Rx两端电压值由后级电路TLC2543采集。采用继电器来实现100，1K，10K和10M之间的量程的自动切换。在电路中被测电阻Rx将和一个高精度的已知基准电阻R2串联，在两个电阻的两端加一个已知的恒定电压V，设Rx两端的电压为V1，R2两端的电阻为V2，根据欧姆定律，

R1/（Rx+R2）×V=Vx

化简可得 R1=（Vx×R2 ）/（V-Vx）

由于Vx，R2，已知，Vx由电路自动测量得到，经过单片机计算可得出被测电阻的阻值。

2.2 A/D采样电路设计

TLC2543为12位的A/D转化芯片，有12个模拟输入通道，分辨率达4096。程序设计采用模拟通道AIN0端，并用高输入阻抗运放OP07阻抗匹配，提高测试精度.以及电路的稳定性。图中OP07的3脚为放大后的采样电压输入端，输入的模拟电压经TLC2543进进行A/D后。数字量以SPI总线数据传输的方式与单片机进行数据传送。

2.3 MCU控制及显示电路设计

单片机系统电路如图2所示。该模块是整个系统的核心，主要由STC89C52单片机、电机驱动和ULN2003和12864液晶显示器组成，具有电阻阻值的数据采集、处理、显示等功能。

3 系统软件设计

软件设计主要包括主程序模块和自动量程切换模块的设计，主程序主要包括STC89C52的初始化、数据采集、数据处理、显示等。自动量程切换模块主要包括阻值测量、判断阻值是否超出范围等。

[参考文献]

[1]沈元隆，周井全.《信号与系统》[M].北京：人民邮电出版社，2007年.

[2]康华光.《电子技术基础-模拟部分》[M].北京：高等教育出版社，2006年.

作者：张常友

第三篇：一种电阻温度补偿电流基准源

摘要： 本文设计了一种简单的一阶温度补偿电流基准源。主要利用电阻的温度系数与阈值电压VTH温度系数相同的特性实现温度补偿原理。该主体电路采用低压共源共栅（即CASCODE）结构，不需要运放，易于补偿。整个电路采用0.5μm 标准CMOS工艺，并用HSPICE仿真分析表明该电路在0～100℃范围内且在工艺变化（容差分析）时基准电流变化不超过3.1%。

关键词：电阻温度系数，VTH温度系数，低压共源共栅（即CASCODE），容差分析

1引言

高性能模拟、数字集成电路中均要求有稳定的与温度无关的电压和/或电流基准。近十年来，为得到可靠的电压和电流基准而作了很多努力，许多高精度、采用温度补偿的基准电路应运而生。

许多CMOS电压基准是通过双极带隙结构获得（即其基准的核心部分采用双极型晶体管，利用带隙理论产生基准电压），目前也有很多采用全MOS结构的基准源，有提出采用阈值电压和迁移率相互补偿技术[1]而获得很好的温度特性者，也有采用MOS晶体管的亚阈值特性实现温度补偿的基准源[2]，都获得了很好的结果，但是结构都比较复杂，而且在亚阈值区域工作很难控制。

本文设计了一种简单的用电阻实现温度补偿的电流基准源。采用电阻温度补偿[7]的思想已有报道，如文献[7]中所采用的是不同类型的电阻相互补偿而达到实现温度补偿的效果，而本文所不同的是尝试利用电阻和阈值电压的温度系数相互补偿，通过理论分析和仿真验证表明这种方法能较好实现一阶补偿。根据目前低压应用的趋势，该电路的主体电路采用低压共源共栅（CASCODE）结构，同时采用3个集成电阻实现温度补偿。在0～100℃范围内，对该结构作相应的容差分析，得到其电流随温度变化不超过3.1%的结果。

本文第二部分分析等效核心电路产生原理及其不能实现温度稳定性的原因；第三部分给出所设计的电路结构，并对温度补偿原理作详细分析；第四部分给出计算机仿真结果和分析；第五部分为结论，对本文所设计的电路进行总结。

2等效电路产生原理

本文所设计的电流基准源的核心将采用CASCODE结构，其实质是采用自偏置电流源，为方便分析，给出其等效架构如图1所示。等效核心偏置产生原理：基准电流源采用自偏置电流源的原理，图1是一传统的自偏置电流源等效电路[3][4]，M3和M4是一对电流镜，且宽长比都为1/1，所以I1等于I2，使得

即偏置电流基本不随电源电压变化，只与MOS的参数和电阻值的大小有关，因此其栅电压信号也不随电源电压变化，通过该结构可以得到一个稳定的偏置信号，其温度系数也可以通过调节电阻值和MOS的参数得到改善。

从（2）可以看到，该支路的电流的温度系数与电阻R1的温度系数相关，R1选用具有负温度系数的多晶硅电阻，则该电流为正比于绝对温度（PTAT，proportional to absolute temperature）电流，因此该结构不能作为电流基准使用，而必须要对其补偿才能得到稳定的不随温度变化的电流基准。

3实际电路分析

3.1工作原理分析

在PTAT电流的基础上，设计出与温度无关的电流基准电路，如图2所示。其核心部分由低压CASCODE电路组成，包括P1~P4，N1~N4，而P5、P6、N5、N6为核心部分提供偏置。P7~P9和N7~N11为电路的启动部分。

核心部分实质上是一个宽摆幅的恒定跨导的电流镜电路[5]，该电路由一个正反馈环组成。在启动的时候电路易工作在零稳定状态，为摆脱零工作状态，设计了相应的启动电路。在上电时，P9导通将N7、N8打开，而N9、N10常开使得P1~P4开启，而核心部分是一个自偏置结构，逐渐将各管打开，直到VBIAS1上升到使得N11打开，从而将启动电路关断，由P5、P6、N5、N6为核心电路提供偏置以保证电路持续稳定工作。

电路中还有两个电容C1和C2，可以保证电路缓慢工作于正常状态，而不出现过冲现象。R1是产生正温度系数电流的电阻，R2和R3是作温度补偿用的电阻。

3.2电阻电路补偿原理

阈值电压[6]温度系数分析，其公式如下：

理想情况考虑NA（衬底掺杂浓度）、Cox（栅氧化层电容）、QSS（氧化层中固定电荷）、Φms（金属半导体功函数差）等与温度无关，只有Φf（衬底费米势）与温度相关，则有

一般条件下，阈值电压的温度系数为负温度系数（在-0.5mV/℃ ~ -4 mV/℃）。如果选用一个接近阈值电压温度系数大小的同类型的电阻即可补偿一阶温度，产生零温度系数的电流。一般多晶硅电阻为负温度系数，而扩散电阻为正温度系数。本文所用工艺多晶硅电阻的一阶温度系数约为-2 mV/℃，可以很好的进行一阶温度补偿，并且将在后面的仿真结果中看到该补偿不随工艺发生变化，因为在工艺改变时，两种具有相同温度系数的器件随温度会向同一方向变化，并且通过模拟阈值电压和电阻随温度和工艺的变化，即容差分析，得到两者变化趋势接近，使得该电流源的工艺稳定性可以得到保证。

同时由于该电路采用CASCODE结构，从公式（2）知道该电流理想情况是与电源电压无关的，因此可以获得很高的电源抑制比（PSRR，Power Supply Rejection Ratio,），因此该结构可以大大降低电源电压对电流的干扰。

对于图2电路的大信号和温度特性分析如下：

利用文献中给出的迁移率[1]，、电阻和阈值电压与温度的关系可以得到：

选用相应的参数使得上述式子=0，即可实现一阶温度补偿。从上式可以看到，对于前三项还可以进一步简化，由于这三项的系数相比于后两项很小，因此其对温度变化的贡献较小，在本文的设计中暂时不考虑，重点考虑最后两项，阈值电压为负温度系数，而同样R2为多晶硅电阻也为负温度系数，从理论上可以保证抵消一阶温度系数。第一项也对温度补偿有贡献，通过电路参数包括MOS管参数的选择和电阻值的调节可实现温度补偿。

4仿真与性能分析

本文基于0.5μm标准CMOS工艺的模型，用HSPICE进行仿真。在仿真过程中，对基准电流作了相应的容差分析，该技术是近年来可靠性分析的核心技术之一。图3为本文结合电阻温度补偿后的电流基准输出（具体结果如表二中数据所示，其随温度变化的最大值不超过3.1%），图中给出了在TT（Typical Model）、FF（3-sigma Fast Corner Model）和SS（3-sigma Slow Corner Model）（和表1一致） 模式下的仿真结果，并且在-20~100℃变化范围内不超过4.5%。图4为电流基准的PSRR特性。其他仿真参数由表1给出。

从图3可以得到，基准电流随温度变化在典型仿真条件下变化为1.72%，而从表1给出的数据可知，在该基准电流随工艺和温度同时变化时，基准电流变化不超过3.1%，表明电流基准仍然能达到较好的温度补偿效果。而从图4可知，在频率达到100KHz时，该电路的PSRR可达-99dB，且在较高的频率范围内，其电源抑制比仍然保持在-90dB以下，这个结果表明采用CASCODE结构，确实可以很好的保证抗电源干扰的特性。

由于本文所设计的电路主要是给出温度补偿的思路，而没有进行电阻修条（即trim 技术）和二阶温度补偿，如果加入trim和二阶温度补偿，其性能可以得到进一步的改善，这是以后努力的方向。

5结论

本文设计了一种简单的电阻温度补偿的电流基准源。在0～100℃范围内，对该结构作相应的容差分析，其电流变化不超过3.1%。同时该电流基准在100KHz时，PSRR为-99dB dB。该结果验证了电阻温度补偿技术的可行性，同时该电路可以通过加入trim和二阶补偿技术进一步提高电流基准的性能。

参考文献

[1] Filanovsky, I.M and Allam, “A Mutual compensation of mobility and threshold voltage temperature effects with applications in CMOS circuits”, IEEE. Circuits and Systems, vol.48, pp.876-884, July. 2001

[2] Plasma processed materials Group, National Physical Laboratory, “advanced current mirrors for low voltage analog designs” IEEE. Semiconductor Electronics, pp.258-263, Dec 2004

[3] Fiori, F and Crovetti, P.S, “Compact temperature-compensated CMOS current reference”, IEEE. Electronics Letters, vol. 39, pp.42-43, Jan. 2003

[4] Fiori F and Crovetti, P.S, “A New Compact temperature-compensated CMOS current reference”, IEEE. Circuits and Systems, vol. 52, pp.724-728, Nov. 2005

[5] David johns and Ken Martin, Analog Integrated Circuits Design, New York, Wiley, 1997

[6] P. R. Gray and R. G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 3rd Edition, New York, Wiley, 1992

[7] Jingmei Lu., Yi Wang, Nuo Xu and Minglun Gao, “Temperature compensation in bootstrapped current reference source”, IEEE. Electron Devices and Solid-State Circuits, pp.491-494, Dec.2003

作者简介

唐圣兰，硕士研究生，主要从事模拟集成电路和功率集成电路设计。

注：本文中所涉及到的图表、注解、公式等内容请以PDF格式阅读原文

作者：唐圣兰　罗　萍