单晶硅实习报告范文

2022-06-08

在实习结束之后，我们必然有着很多的感受，也许是对于理论知识的升华，也许是对于自身不足的了解，或者获得了某方面的成长，那么这就需要进行实习总结了。下面是小编为大家整理的《单晶硅实习报告范文》，供需要的小伙伴们查阅，希望能够帮助到大家。

第一篇：单晶硅实习报告范文

多晶硅行业研究报告

2008年将注定是全球可再生能源行业发展的里程碑的年份，在中国，年初的多晶硅热潮为这个新的年份拉开热情澎湃的序幕，我们愿意为大家分享我们对行业的观点：

第一个观点是多晶硅供需到2010年仍不会出现大范围过剩，这是基于供给和需求做出的判断;对多晶硅供应的分析我们在之前的各次报告中多次提及，包括主要大厂的扩产计划和新技术的使用。需求是我们分析的重点，其要点有二：一是欧美市场的迅速启动，尤其是美国大选对于新能源行业的重大影响值得重点关注;二是的电池片环节的产能率不到60%，成为多晶硅扩产的缓冲池;多晶硅厂属于化工联合企业，技术难度是全方位的，包括技术路线、设备选型、调试、运行、检测等环节，门槛相当高，这是我们强调的第二点;

多晶硅企业的技术难度在于整体性的技术瓶颈，而非几个关键技术诀窍，而在国内能大规模生产之前，国际大厂不会进行技术转移，PPP之类企业以建造为主，并无完整技术转让;国内目前投产的企业技术来源均是739和740厂，这一点值得玩味。

第三点：新光硅业是目前国内唯一产量近千吨的大厂，我们预计2008年可以实现净利润11.6亿元，与新光硅业(一期及二期)相关的企业包括川投能源、天威保变、乐山电力和岷江水电。

观点一：多晶硅供需到2010年仍不会出现大范围过剩

原因一：太阳能电池环节(Cell)的产能率不到60%

2004年开始的全球太阳能热潮使得太阳能电池生产线的建设如火如荼，但硅料的供应使得当年诸多购买建设的电池生产线处于停工半停工状态;根据目前的估计，全球太阳能电池片产能利用率约55%，也就是说目前的太阳能电池生产线有接近一半处于闲置状态;考虑目前主流的30mw生产线数千万之巨的投资规模和太阳能电池行业硬件设备迅速的更新换代，只要电池生产的盈利高于变动成本，对厂商来说，生产就是比闲置更理性的选择;因此，我们认为电池片环节的低产能利用率是整个多晶硅供应的蓄水池，即使多晶硅产能扩张一倍，也会被下游的电池环节吸收;而

对电池产量翻番能否为下游接受的问题我们下面马上，这就是便于的新能源发展热潮有望超过我们的预期。

原因二：欧美太阳能市场将面临爆发式增长

我们对2008年以后的欧美太阳能市场寄予厚望，认为将面临爆发式增长，原因有二：政府支持图谋的加大和新技术的可能出现，后者的影响主要是在，这里我们主要分析前者：

美国是全球新能源市场发展的最大动力，尽管参院的PTC审议遇到障碍，但各州的支持图谋不断加大，而民主党总统候选人的政策主张更加令人振奋;

民主党的总统候选人Hilary Clinton和Barack Obama的新能源主张中最重要的就是到2025年将美国的可再生能源发电比例提高到25%，考虑到这一比例目前不超过1%，未来的美国市场规模望而生畏;

欧洲，除了新能源的龙头国家德国外，西班牙、意大利对新能源的支持力度也相当之大，就连主要以核电为主的法国也有了自己的新能源发展规划，在2020年以前太阳能装机3000mw;

我们认为，行业中短期的最大推动在于各国政府尤其是欧美发达国家政府的支持，而不断高涨的能源价格和传统能源产地的地缘政治境况不断恶劣是欧美国家发展新能源的强大动力;

观点二：新光硅业是国内多晶硅龙头企业、2008年盈利接近12亿

国内多晶硅价格2008年仍将维持高位

目前国内多晶硅散货价格已经超过2800元/kg，价格之高令人咂舌;但由于2008年产能虽有接近翻番的扩张，但产量扩张主要体现在2008年下半年和2009年，考虑下游的市场扩张，供需状况并未得到根本性改观，而上半年供需形势的紧张形势与去年相比更是不相上下;综合考虑新厂投产速度和下游需求增长，我们认为2008年多晶硅价格仍将维持高位;国际大厂的所谓长单价格与国内企业基本没有，以国际硅料大厂对其大客户的长单价格比照国内硅料走势没有意义。

新光硅业2008年盈利接近12亿元

观点三：多晶硅是高集成度的化工联合企业，技术门槛高

多晶硅企业的技术难度在于整体性的技术的瓶颈，而非几个关键技术诀窍

多晶硅企业本质上是化工联合企业，这从国际大厂的情总可以看出，德国的Wacker是全球知名的化工企业，其涉足的领域从盐矿开采、硅烷气到多晶硅、硅片，涉及与多晶硅相关的上游产品均可以自行生产;Hemlock的股东中，Dow Corning是化工建材巨头陶氏化学和康宁成立的合资;这些企业均有多年的化工企业经营经验，从事多晶硅生产也已多年，部分企业超过五十年生产经验，是国内企业无法比拟的;多晶硅的生产涉及多次复杂的化学反应，各项控制节点多以千计，而从一个陌生的行业进入多晶硅生产，即使不考虑建设的问题，单纯调试运行的难度也是相当之大的。

国内能大规模生产之前，国际大厂不会进行技术转移

目前国际大厂的产能当中主要是改良西门子法，而国内目前已经投产和即将投产的企业中，均采用改良西门子法;国际大厂对多晶硅的垄断已经维持了数十年，鉴于多晶硅对IT行业的重要意义和目前行业的高利润，国际大厂对此实行持续的技术封锁;从目前的情况看，在国内没有大规模实现生产之前，国际大厂不会对中国实行技术转让，所谓德国技术或者美国技术还是俄罗斯技术均不是完整的技术转让;

关于大厂专家的指导，根据我们现在了解到的情况，国际上普遍实行二十年的行业禁止期，从相关大厂辞职的技术人员在二十年内不得进入原企业的竞争对手，因此，目前国内企业能够请到的、有过大厂工作经验的专家，其工作经验也是二十年前的，否则就存在法律问题。

国际目前的技术转移以建造为主，并无完整技术转让

目前国际上比较著名的多晶硅厂建造是PPP(Polysilicon Plant Project)，SCC等境外公司，均具有建造多晶硅企业的经验;PPP等公司与国内的成达公司属于同一类型企业，为化工企业，只不过从事的是特殊的化工企业----多晶硅厂的，他们不提供具体的多晶硅技术包;

我们认为，有经验的制造商加盟有助于多晶硅厂更快更好的达产，但并不是决定因素。

国内目前投产的所有企业技术来源均是739和740厂

目前国内已经投产的企业包括新光硅业、东汽硅材料厂、洛阳中硅、徐州中能，究根探底，这几家的技术来源均是之前739和740两个硅材料厂;

739厂即峨嵋半导体厂，本世纪初国内为建设第一个千吨级多晶硅厂从峨嵋厂抽调骨干，这也构成了目前新光硅业的主要技术队伍;

而从原来的峨嵋半导体材料厂被东方电气增资控股，也就是现在的东汽硅材料厂;徐州中能的技术来源是新光硅业，这在业内也是尽人皆知的，因此其技术源头也是739厂;

740厂即原来的洛阳硅材料厂，以此为基础组成了现在的洛阳中硅;

总而言之，目前已经投产的多晶硅厂均有明确的技术来源，并无完全成立的企业做成。

第二篇：单晶铝纳米级硬度测试实验报告

单晶铝纳米级硬度测试

[实验目的及意义] 硬度作为材料多种力学特性的“显微探针”,与材料的强度、耐磨性、弹塑性、韧性等物理量之间有着密不可分的联系, 因此在纳米尺度下对材料的硬度特性进行测量与分析,有着重要而现实的意义。

本实验目的: 1.学习纳米压痕法,掌握其原理和计算方法;

2.研究单晶铝纳米硬度,对纳米硬度的压痕尺寸效应现象进行分析。

[实验原理] 目前,纳米级硬度的测量一般采用纳米压痕法。该方法通过高分辨力的致动器和传感器,可以精确、连续地纪录加载与卸载期间载荷与位移的数据,非常适合于材料表层微/纳米级力学特性的测量。使用纳米硬度计对单晶铝进行了纳米压痕实验，并计算硬度值，重点观察和分析了纳米级条件下单晶铝的硬度性质。

纳米压痕法：图1为纳米压痕实验加、卸载过程中压痕剖面的变化示意图, 图2为典型的载荷一位移曲线。

由图可以看出，在加载过程中试样表面首先发生的是弹性变形，随着载荷进一步提高，塑性变形开始出现并逐步增大;卸载过程主要是弹性变形恢复的过程，塑性变形最终使得样品表面形成了压痕。图2中Pmax为最大载荷,Hmax为最大位移,hf了为卸载后的位移,S为卸载曲线初期的斜率。

纳米硬度的计算仍采用传统的硬度公式

H = P / A (1)

式中:H 为硬度,GPa;P为最大载荷,即上文中的Pmax，uN;A为压痕面积投影,nm2。但与传统硬度计算方法不同的是,A 值不是由压痕照片得到,而是根据“接触深度”hc(单位为nm )计算得到的,这是由于纳米硬度实验中载荷和压深很小, 如果沿用传统硬度实验中的方法确A值,则计算出的硬度值往往出现较大误差。

具体关系式需通过实验来确定,根据压头形状的不同,一般采用多项式拟合的方法,针对三角锥形压头, 其拟合公式为：

式中“接触深度”hc由下式计算得出

式中： ε是与压头形状有关常数，对于球形或三角锥形压头可以取ε=0.75。而S的值可以通过对载荷—位移曲线的卸载部分进行拟合，再对拟合函数求导得出，即

式中：Q为拟合函数。

这样, 通过实验得到载荷—位移曲线，测量和计算实验过程中的载荷p、压痕深度h和卸载曲线初期的斜率S，就可以得到样品的硬度值。

[实验仪器和步骤] 实验材料采用单晶铝, 取(111)面作为测量表面,经去应力处理后进行纳米压痕实验。实验仪器为美国CETR公司生产的Nanoindenter XP型纳米硬度计。NanoindenterXP 型纳米硬度计的最大载荷为50mN , 载荷分辨力为50N ，位移分辨力小于0.01nm。压头选用Berkovich型金刚石压头, 形状为三角锥(锥面与轴线夹角为65.30°) , 压头在加载、卸载过程中保持匀速, 并在加载、卸载过程之间保压一段时间。接触深度和纳米硬度由纳米硬度计自动计算。每个载荷对应的压痕实验在不同位置重复五次, 最终结果取有效点结果的均值。

本实验没有采用习惯上的通过对材料表面某一点连续加载得到硬度曲线的方法, 而是采用一个加载点只对应一个最终硬度值和压痕深度的方法, 通过对一系列不同载荷的加载点进行比较来研究纳米硬度测量中的现象和规律,这样做可以避免因加载点本身的因素对实验造成影响。

2 [实验结果] 表1 为不同载荷下单晶铝纳米硬度的实验数据。

表1 单晶铝硬度测量值数据及计算值 GPa 压痕深度/nm 100 200 500 1000 1500 2000

图3 绘出了单晶铝纳米级硬度与压痕深度的关系曲线。 1 1.009 0.629 0.529 0.473 0.440 0.429

2 0.985 0.616 0.550 0.499 0.434 0.441

实验次序

3 0.937 0.611 0.514 0.503 0.444 0.423

4 1.020 0.621 0.540 0.494 0.451 0.437

5 0.958 0.608 0.530 0.472 0.463 0.452

五组数据平均值

普通方法计算值

0.982 0.617 0.533 0.480 0.446 0.428 1.275 0.836 0.718 0.612 0.568 0.532

图3 单晶铝纳米级硬度测量值

3 [结果分析] 本实验使用纳米硬度计对单晶铝进行了纳米压痕实验，并计算硬度值。结果表明，当压痕深度小于2000nm时,单晶铝纳米硬度存在尺寸效应现象。

纳米硬度与传统方法测得的硬度值有着重要区别，纳米硬度的实质是指在压入过程中某一压痕表面积投影上单位面积所承受的瞬时力, 它是试样对接触载荷承受能力的度量。而传统的硬度定义是残余压痕表面积上单位面积所承受的平均力, 它反映试样抵抗残余变形的能力。由此可见两种硬度定义的侧重点是不一样的, 其原因在于不同尺度下人们对材料性质的关注点不同。

单晶铝纳米硬度测量存在尺寸效应现象, 当纳米压痕深度大于2000nm时，测量得到的硬度值基本恒定，反之，得到的硬度值会表现出明显的尺寸效应现象，并且压痕越小，尺寸效应现象就越强烈。只有在相同压痕深度下测得的硬度值才具有可比性。微/纳米尺度下单晶铝的弹性模量基本恒定，其数值约71GPa。

第三篇：电子级多晶硅项目可行性研究报告

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电子级多晶硅项目可行性研究

报告

中国多晶硅工业起步于20世纪50年代，60年代中期实现了产业化，到70年代，生产厂家曾经发展到20多家。但由于工艺技术落后，消耗大，成本高等原因，绝大部分企业亏损而相继停产或转产。

进入21世纪以来，强大的需求和丰厚的利润刺激着多晶硅产业的迅速膨胀。多晶硅现货价7年内上涨了10倍，高峰时利润率超过800%。截至08年12月，已有超过10家上市公司投资多晶硅项目，已公告的投资额近60亿元，总投资额高达300多亿元。

2009年新春伊始，有两件事情令多晶硅-光伏产业振奋。首先是《能源法》已经提交到国务院法制办，这将直接影响“十二五”期间国家能源政策的整体规划。随后，无锡尚德、赛维LDK、常州天合、林洋新能源、CSI阿特斯、南京冠亚等在内的太阳能电池生产巨头们已将“1元/度”光伏发电成本的方案上交给科技部。这标志着光伏发电入网已经不再那么遥远，这两大利好无疑给予多晶硅-光伏企业一剂兴奋剂。

2009年1月，国家发改委已正式批复，同意在洛阳中硅建设多晶硅材料制备技术国家工程实验室，并安排1500万元国家投资补助资金，这表明海外对中国高纯多晶硅产业的技术壁垒正在被一一打破，对缓解中国多晶硅需求主要依赖进口现状、促进光伏产品成本降报告用途：发改委立项、政府申请资金、政府申请土地、银行贷款、境内外融资等

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低都具有标志性意义。

编制单位：北京智博睿信息咨询有限公司

另：提供国家发改委甲、乙、丙级资质

可行性研究报告大纲(具体可根据客户要求进行调整) 第一章研究概述第一节研究背景与目标第二节研究的内容第三节研究方法第四节数据来源第五节研究结论

一、市场规模

二、竞争态势

三、行业投资的热点

四、行业项目投资的经济性第二章电子级多晶硅项目总论第一节电子级多晶硅项目背景

一、电子级多晶硅项目名称

二、电子级多晶硅项目承办单位

三、电子级多晶硅项目主管部门

报告用途：发改委立项、政府申请资金、政府申请土地、银行贷款、境内外融资等

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四、电子级多晶硅项目拟建地区、地点

五、承担可行性研究工作的单位和法人代表

六、研究工作依据

七、研究工作概况第二节可行性研究结论

一、市场预测和项目规模

二、原材料、燃料和动力供应

三、选址

四、电子级多晶硅项目工程技术方案

五、环境保护

六、工厂组织及劳动定员

七、电子级多晶硅项目建设进度

八、投资估算和资金筹措

九、电子级多晶硅项目财务和经济评论

十、电子级多晶硅项目综合评价结论第三节主要技术经济指标表第四节存在问题及建议

第三章电子级多晶硅项目投资环境分析第一节社会宏观环境分析

第二节电子级多晶硅项目相关政策分析

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一、国家政策

二、电子级多晶硅项目行业准入政策

三、电子级多晶硅项目行业技术政策第三节地方政策

第四章电子级多晶硅项目背景和发展概况第一节电子级多晶硅项目提出的背景

一、国家及电子级多晶硅项目行业发展规划

二、电子级多晶硅项目发起人和发起缘由第二节电子级多晶硅项目发展概况

一、已进行的调查研究电子级多晶硅项目及其成果

二、试验试制工作情况

三、厂址初勘和初步测量工作情况

四、电子级多晶硅项目建议书的编制、提出及审批过程第三节电子级多晶硅项目建设的必要性

一、现状与差距

二、发展趋势

三、电子级多晶硅项目建设的必要性

四、电子级多晶硅项目建设的可行性第四节投资的必要性

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第五章电子级多晶硅项目行业竞争格局分析第一节国内生产企业现状

一、重点企业信息

二、企业地理分布

三、企业规模经济效应

四、企业从业人数

第二节重点区域企业特点分析

一、华北区域

二、东北区域

三、西北区域

四、华东区域

五、华南区域

六、西南区域

七、华中区域

第三节企业竞争策略分析

一、产品竞争策略

二、价格竞争策略

三、渠道竞争策略

四、销售竞争策略

五、服务竞争策略

六、品牌竞争策略

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第六章电子级多晶硅项目行业财务指标分析参考第一节电子级多晶硅项目行业产销状况分析第二节电子级多晶硅项目行业资产负债状况分析第三节电子级多晶硅项目行业资产运营状况分析第四节电子级多晶硅项目行业获利能力分析第五节电子级多晶硅项目行业成本费用分析

第七章电子级多晶硅项目行业市场分析与建设规模第一节市场调查

一、拟建电子级多晶硅项目产出物用途调查

二、产品现有生产能力调查

三、产品产量及销售量调查

四、替代产品调查

五、产品价格调查

六、国外市场调查

第二节电子级多晶硅项目行业市场预测

一、国内市场需求预测

二、产品出口或进口替代分析

三、价格预测

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第三节电子级多晶硅项目行业市场推销战略

一、推销方式

二、推销措施

三、促销价格制度

四、产品销售费用预测

第四节电子级多晶硅项目产品方案和建设规模

一、产品方案

二、建设规模

第五节电子级多晶硅项目产品销售收入预测

第八章电子级多晶硅项目建设条件与选址方案第一节资源和原材料

一、资源评述

二、原材料及主要辅助材料供应

三、需要作生产试验的原料

第二节建设地区的选择

一、自然条件

二、基础设施

三、社会经济条件

四、其它应考虑的因素第三节厂址选择

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一、厂址多方案比较

二、厂址推荐方案

第九章电子级多晶硅项目应用技术方案第一节电子级多晶硅项目组成第二节生产技术方案

一、产品标准

二、生产方法

三、技术参数和工艺流程

四、主要工艺设备选择

五、主要原材料、燃料、动力消耗指标

六、主要生产车间布置方案第三节总平面布置和运输

一、总平面布置原则

二、厂内外运输方案

三、仓储方案

四、占地面积及分析第四节土建工程

一、主要建、构筑物的建筑特征与结构设计

二、特殊基础工程的设计

三、建筑材料

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四、土建工程造价估算第五节其他工程

一、给排水工程

二、动力及公用工程

三、地震设防

四、生活福利设施

第十章电子级多晶硅项目环境保护与劳动安全第一节建设地区的环境现状

一、电子级多晶硅项目的地理位置

二、地形、地貌、土壤、地质、水文、气象

三、矿藏、森林、草原、水产和野生动物、植物、农作物

四、自然保护区、风景游览区、名胜古迹、以及重要政治文化设施

五、现有工矿企业分布情况

六、生活居住区分布情况和人口密度、健康状况、地方病等情况

七、大气、地下水、地面水的环境质量状况

八、交通运输情况

九、其他社会经济活动污染、破坏现状资料

十、环保、消防、职业安全卫生和节能第二节电子级多晶硅项目主要污染源和污染物

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一、主要污染源

二、主要污染物

第三节电子级多晶硅项目拟采用的环境保护标准第四节治理环境的方案

一、电子级多晶硅项目对周围地区的地质、水文、气象可能产生的影响

二、电子级多晶硅项目对周围地区自然资源可能产生的影响

三、电子级多晶硅项目对周围自然保护区、风景游览区等可能产生的影响

四、各种污染物最终排放的治理措施和综合利用方案

五、绿化措施，包括防护地带的防护林和建设区域的绿化第五节环境监测制度的建议第六节环境保护投资估算第七节环境影响评论结论第八节劳动保护与安全卫生

一、生产过程中职业危害因素的分析

二、职业安全卫生主要设施

三、劳动安全与职业卫生机构

四、消防措施和设施方案建议

第十一章企业组织和劳动定员

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第一节企业组织

一、企业组织形式

二、企业工作制度

第二节劳动定员和人员培训

一、劳动定员

二、年总工资和职工年平均工资估算

三、人员培训及费用估算

第十二章电子级多晶硅项目实施进度安排第一节电子级多晶硅项目实施的各阶段

一、建立电子级多晶硅项目实施管理机构

二、资金筹集安排

三、技术获得与转让

四、勘察设计和设备订货

五、施工准备

六、施工和生产准备

七、竣工验收

第二节电子级多晶硅项目实施进度表

一、横道图

二、网络图

第三节电子级多晶硅项目实施费用

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一、建设单位管理费

二、生产筹备费

三、生产职工培训费

四、办公和生活家具购置费

五、勘察设计费

六、其它应支付的费用

第十三章投资估算与资金筹措第一节电子级多晶硅项目总投资估算

一、固定资产投资总额

二、流动资金估算第二节资金筹措

一、资金来源

二、电子级多晶硅项目筹资方案第三节投资使用计划

一、投资使用计划

二、借款偿还计划

第十四章财务与敏感性分析第一节生产成本和销售收入估算

一、生产总成本估算

二、单位成本

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三、销售收入估算第二节财务评价第三节国民经济评价第四节不确定性分析

第五节社会效益和社会影响分析

一、电子级多晶硅项目对国家政治和社会稳定的影响

二、电子级多晶硅项目与当地科技、文化发展水平的相互适应性

三、电子级多晶硅项目与当地基础设施发展水平的相互适应性

四、电子级多晶硅项目与当地居民的宗教、民族习惯的相互适应性

五、电子级多晶硅项目对合理利用自然资源的影响

六、电子级多晶硅项目的国防效益或影响

七、对保护环境和生态平衡的影响

第十五章电子级多晶硅项目不确定性及风险分析第一节建设和开发风险第二节市场和运营风险第三节金融风险第四节政治风险第五节法律风险第六节环境风险

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第七节技术风险

第十六章电子级多晶硅项目行业发展趋势分析

第一节我国电子级多晶硅项目行业发展的主要问题及对策研究

一、我国电子级多晶硅项目行业发展的主要问题

二、促进电子级多晶硅项目行业发展的对策第二节我国电子级多晶硅项目行业发展趋势分析第三节电子级多晶硅项目行业投资机会及发展战略分析

一、电子级多晶硅项目行业投资机会分析

二、电子级多晶硅项目行业总体发展战略分析第四节我国电子级多晶硅项目行业投资风险

一、政策风险

二、环境因素

三、市场风险

四、电子级多晶硅项目行业投资风险的规避及对策

第十七章电子级多晶硅项目可行性研究结论与建议第一节结论与建议

一、对推荐的拟建方案的结论性意见

二、对主要的对比方案进行说明

三、对可行性研究中尚未解决的主要问题提出解决办法和建议

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四、对应修改的主要问题进行说明，提出修改意见

五、对不可行的项目，提出不可行的主要问题及处理意见

六、可行性研究中主要争议问题的结论

第二节我国电子级多晶硅项目行业未来发展及投资可行性结论及建议

第十八章财务报表第一节资产负债表第二节投资受益分析表第三节损益表

第十九章电子级多晶硅项目投资可行性报告附件 1 、电子级多晶硅项目位置图 2 、主要工艺技术流程图 3 、主办单位近 5 年的财务报表

4 、电子级多晶硅项目所需成果转让协议及成果鉴定 5 、电子级多晶硅项目总平面布置图 6 、主要土建工程的平面图 7 、主要技术经济指标摘要表 8 、电子级多晶硅项目投资概算表 9 、经济评价类基本报表与辅助报表

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10 、现金流量表 11 、现金流量表 12 、损益表

13 、资金来源与运用表 14 、资产负债表 15 、财务外汇平衡表 16 、固定资产投资估算表 17 、流动资金估算表 18 、投资计划与资金筹措表 19 、单位产品生产成本估算表 20 、固定资产折旧费估算表 21 、总成本费用估算表

22 、产品销售(营业)收入和销售税金及附加估算表

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第四篇：太阳能行业知识：单晶硅介绍

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单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。

单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。

单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直径越大的圆片，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。

单晶硅也称硅单晶，是电子信息材料和光伏行业中最基础性材料，属半导体材料类。单晶硅已渗透到国民经济和国防科技中各个领域。

硅片直径越大，技术要求越高，越有市场前景，价值也就越高。

日本、美国和德国是主要的硅材料生产国。中国硅材料工业与日本同时起步，但总体而言，生产技术水平仍然相对较低，而且大部分为2.5、

3、

4、 5英寸硅锭和小直径硅片。中国消耗的大部分集成电路及其硅片仍然依赖进口。但我国科技人员正迎头赶上，于1998年成功地制造出了12英寸单晶硅，标志着我国单晶硅生产进入了新的发展时期。目前，全世界单晶硅的产能为1万吨/年，年消耗量约为6000吨～7000吨。未来几年中，世界单晶硅材料发展将呈现以下发展趋势：

1，单晶硅产品向300mm过渡，大直径化趋势明显：

随着半导体材料技术的发展，对硅片的规格和质量也提出更高的要求，适合微细加工的大直径硅片在市场中的需求比例将日益加大。目前，硅片主流产品是200mm，逐渐向300mm过渡，研制水平达到400mm～450mm。据统计，200mm硅片的全球用量占60%左右，150mm占20%左右，其余占20%左右。 Gartner发布的对硅片需求的5年预测表明，全球300mm硅片将从2000年的1.3%增加到2006年的21.1%。日、美、韩等国家都已经在 1999年开始逐步扩大300mm硅片产量。据不完全统计，全球目前已建、在建和计划建的300mm硅器件生产线约有40余条，主要分布在美国和我国台湾等，仅我国台湾就有20多条生产线，其次是日、韩、新及欧洲。

世界半导体设备及材料协会(SEMI)的调查显示，2004年和2005年，在所有的硅片生产设备中，投资在300mm生产线上的比例将分别为 55%和62%，投资额也分别达到130.3亿美元和184.1亿美元，发展十分迅猛。而在1996年时，这一比重还仅仅是零。

2、硅材料工业发展日趋国际化，集团化，生产高度集中：

研发及建厂成本的日渐增高，加上现有行销与品牌的优势，使得硅材料产业形成“大者恒大”的局面，少数集约化的大型集团公司垄断材料市场。上世纪 90年代末，日本、德国和韩国(主要是日、德两国)资本控制的8大硅片公司的销量占世界硅片销量的90%以上。根据SEMI提供的2002年世界硅材料生产商的市场份额显示，Shinetsu、SUMCO、Wacker、MEMC、Komatsu等5家公司占市场总额的比重达到89%，垄断地位已经形成。

3、硅基材料成为硅材料工业发展的重要方向：

随着光电子和通信产业的发展，硅基材料成为硅材料工业发展的重要方向。硅基材料是在常规硅材料上制作的，是常规硅材料的发展和延续，其器件工艺与硅工艺相容。主要的硅基材料包括SOI(绝缘体上硅)、GeSi和应力硅。目前SOI技术已开始在世界上被广泛使用，SOI材料约占整个半导体材料市场的30%左右，预计到2010年将占到50%左右的市场。Soitec公司(世界最大的SOI生产商)的2000年～2010年SOI市场预测以及 2005年各尺寸SOI硅片比重预测了产业的发展前景。

4、硅片制造技术进一步升级：半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺目前世界普遍采用先进的切、磨、抛和洁净封装工艺，使制片技术取得明显进展。在日本，Φ200mm硅片已有50%采用线切割机进行切片，不但能提高硅片质量，而且可使切割损失减少10%。日本大型半导体厂家已经向300mm硅片转型，并向0.13μm以下的微细化发展。另外，最新尖端技术的导入，SOI等高功能晶片的试制开发也进入批量生产阶段。对此，硅片生产厂家也增加了对300mm硅片的设备投资，针对设计规则的进一步微细化，还开发了高平坦度硅片和无缺陷硅片等，并对设备进行了改进。

硅是地壳中赋存最高的固态元素，其含量为地壳的四分之一，但在自然界不存在单体硅，多呈氧化物或硅酸盐状态。硅的原子价主要为4价，其次为2 价;在常温下它的化学性质稳定，不溶于单一的强酸，易溶于碱;在高温下化学性质活泼，能与许多元素化合。硅材料资源丰富，又是无毒的单质半导体材料，较易制作大直径无位错低微缺陷单晶。晶体力学性能优越，易于实现产业化，仍将成为半导体的主体材料。

多晶硅材料是以工业硅为原料经一系列的物理化学反应提纯后达到一定纯度的电子材料，是硅产品产业链中的一个极为重要的中间产品，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料，是信息产业和新能源产业最基础的原材料。