励磁柜供电系统诊断分析

2022-09-11

负载点电源供应系统 (POL) 或使用点电源供应系统 (PUPS) 等供电系统都广泛采用同步降压转换器。这种同步降压转换器采用高端几低端的MOSFET取代传统降压转换器的箝位二极管, 以便降低负载电流的损耗。

工程师设计降压转换器时经常忽视“击穿”的问题。每当高端及低端MOSFET同时全面或局部启动时, 便会出现“击穿”的现象, 使输入电压可以将电流直接输送到接地。2004年天津市尔王庄管理处对暗渠励磁柜进行了改造。运行人员经过多次观察和研究, 对击“穿现”象提出了几点改造意见。

击穿现象会导致电流在开关的一瞬间出现尖峰, 令转换器无法发挥其最高的效率。我们不可采用电流探头测量击穿的情况, 因为探头的电感会严重干扰电路的操作。我们可以检查两个场效应晶体管 (FET) 的门极/源极电压, 看看是否有尖峰出现。这是另一个检测击穿现象的方法。 (上层MOSFET的门极/源极电压可以利用差分方式加以监测。)

我们可以利用以下的方法减少击穿现象的出现。

采用设有“固定死区时间”的控制器芯片是其中一个可行的办法。这种控制器芯片可以确保上层MOSFET关闭之后会出现一段延迟时间, 才让下层MOSFET重新启动。这个方法较为简单, 但真正实行时则要很小心。若死区时间太短, 可能无法阻止击穿现象的出现。若死区时间太长, 电导损耗便会增加, 因为底层场效应晶体管内置的二极管在整段死区时间内一直在启动。由于这个二极管会在死区时间内导电。因此, 采用这个方法的系统效率便取决于底层MOSFET的内置二极管的特性。

另一个减少击穿的方法是采用设有“自适应死区时间”的控制器芯片。这个方法的优点是可以不断监测上层MOSFET的门极/源极电压, 以便确定何时才启动底层MOSFET。

高端MOSFET启动时, 会通过电感感应令低端MOSFET的门极出现dv/dt尖峰, 以致推高门极电压。若门极/源极电压高至足以将之启动, 击穿现象便会出现。

自适应死区时间控制器负责在外面监测MOSFET的门极电压。因此, 任何新加的外置门极电阻会分去控制器内置下拉电阻的部分电压, 以致门极电压实际上会比控制器监控的电压高。

预测性门极驱动是另一个可行的方案, 办法是利用数字反馈电路检测内置二极管的导电情况以及调节死区时间延迟, 以便将内置二极管的导电减至最少, 确保系统可以发挥最高的效率。若采用这个方法, 控制器芯片需要添加更多引脚, 以致芯片及电源模块的成本会增加。

有一点需要注意, 即使采用预测性门极驱动, 也无法保证场效应晶体管不会因为dv/dt的电感感应而启动。

延迟高端MOSFET的启动也有助减少击穿情况出现。虽然这个方法可以减少或彻底消除击穿现象, 但缺点是开关损耗较高, 而效率也会下降。我们若选用较好的MOSFET, 也有助缩小出现在底层MOSFET门极的dv/dt电感电压振幅。Cgs与Cgd之间的比率越高, 在MOSFET门极上出现的电感电压便越低。

击穿的测试情况经常被人忽略, 例如, 在负载瞬态过程中——尤其是每当负载已解除或突然减少时——控制器会不断产生窄频脉冲。目前, 大部分高电流系统都采用多相位设计, 利用驱动器芯片驱动MOSFET。但采用驱动器芯片会令击穿问题更为复杂, 尤其是当负载处于瞬态过程之中。例如, 窄频驱动脉冲的干扰, 再加上驱动器出现传播延迟, 都会导致击穿情况的出现。

大部分驱动器芯片生产商都特别规定控制器的脉冲宽度必须不可低于某一最低的要求, 若低于这个最低要求, 便不会有脉冲输入MOSFET的门极。

此外, 生产商也为驱动器芯片另外加设可设定死区时间 (TRT) 的功能, 以增强自适应转换定时的准确性。办法是在可设定死区时间引脚与接地之间加设一个可用以设定死区时间的电阻, 以确定高低端转换过程中的死区时间。这个死区时间设定功能加上传播延迟可将处于转换过程中的互补性MOSFET关闭, 以免同步降压转换器出现击穿情况。

击穿现象是电源系统经常发生的故障, 同时故障点又是不容易发现的, 但是危害性还是相当大的。尔王庄管理处通过改造以后大大提高了设备的可靠性, 带来了非常大的经济效益。

摘要：本文讨论了负载点电源和点电源供应系统常常出现击穿现象, 本文分析了击穿现象的出现原因并给出了具体的解决办法。通过技术改造大大提高了电源的可靠性, 同时延长了设备的使用寿命, 提高了经济效益。

关键词：击穿现象,降压转换器,固定死区时间